双扩散型MOSFET栅电阻测试实现与应用.pdfVIP

双扩散型 oSFET栅电阻测试实现s应用 江苏电器 2007增刊 双扩散型MOSFET栅电阻测试实现与应用 周金峰，王明湘 (苏州大学 电子信息学院，江苏 苏州 21 5021) 摘 要： 功率MOSFET的开关性能主要取决于栅极和源极间的等效电阻尼和等效电容 的乘积。讲述了 双扩散型MOSFET栅电阻 和栅电容 的等效模型和构成，介绍了金属绝缘半导体结构C-VI~线及栅电阻 的测试方法和设备。通过选用不同的直流偏置电压、频率、信号幅值等进行测试，确定了比较合适的栅电 阻 测试方法。栅电阻 0试还可以用于生产中的不良分析。 关键词：栅电阻；栅电容；双扩散型MOSFET；金属绝缘半导体结构c—V曲线 中图分类号：TM934．1；TN307 文献标识码：A 文章编号：1007—3175(2007)SO一0019-05 Implementation and Appfication of Testing on Gate Resistance of Double-difflIsed MoSFET ZHOU Jin-feng，WANG Ming—xiang (College ofElectronics andInformation,Soochow University，Suzhou 215021，China) Abstract：The switching performance of power MOSFET mainly depends Oil the product of equivalent resistance Rg and capacitance Cg between Gate and Source．The paper presents the equivalent model and components of gate resistance R and gate capacitance Cgs of DMOS— FET,the C—V curve of metal insulator semiconductor structure and testing methods and equipments of gate resistance Rg．Through experi— ments with different DC bias，frequency and AC signal input，fin optimum testing method of gate resistance RE is developed．The testing on gate resistance Rg Can be applied to analyze device defccts． Key words：gate resistance；gate capacitance；double—diffused MOSFET；C——V curve of metal insulator semiconductor structure 0 引言 属氧化物半导体场效应管，下文简称DMOS)，由于 栅极绝缘层的存在，容性的栅极端对于直流信号来 随着半导体技术的发展，对金属氧化物半导体 说可认为是开路的，相当于一个大的阻抗，所以测 场效应晶体管MOSFET的开关性能要求越来越高，尤 试栅电阻 必须用一个小的交流信号，并且测试前 其是较快的开关速度。决定其开关性能的就是栅极 需知道DMOS的物理结构、选用正确的测试方法、选 和源极间的等效电阻 (下文简称栅电阻 )和等效 定合适的测试设备和测试条件，使测试结果尽可能 电容C (下文简称栅电容C )，