第6章平衡状态下的半导体资料.ppt

杂质基本未电离 杂质全部电离 未电离 电离 （2）受主能级上空穴的分布函数 A:未电离的受主浓度 B:电离受主浓度 2. n型半导体的费米能级和载流子浓度 计算的一般方法： A:由电中性条件 B:联立 （1）电中性条件 (2) 低温弱电离区 电中性条件 求解困难 (3) 强电离饱和区 电中性条件 A:轻掺杂的非简并半导体 B: C: (4) 高温过渡区 电中性条件： 联立 A:近强电离饱和区 B:近本征激发区 电中性条件 高温下的半导体呈本征型 (5) 高温本征激发区 6.4 简并半导体 一．简并半导体的载流子浓度 一般情况下，NDNC或NA NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。 二．简并化条件 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 三．简并时的杂质浓度 取 为简并化条件 （1） 发生简并时 （2） 发生简并时 重掺杂半导体 四．简并时杂质没有充分电离 能带图 24％电离 8.4%电离 五．简并半导体的杂质能带 杂质电离能减小 形成新的简并导带 简并半导体 （1）杂质浓度高 （2） 接近或进入能带 （3）杂质未充分电离 （4）形成杂质能带 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 第6章 平衡状态下的半导体 6.1 半导体的能带结构 常温下，价带中的电子依靠热激发跃迁到上面的空带，使空带底部附近有少量的电子，在外场作用下，这些电子将参与导电，此能带称为导带，同时价带上出现空穴。 在固体物理的能带理论中已经知道，半导体在T=0K时， 被电子占据的最高能带是满带，与绝缘体能带类似，但 半导体最高能带与上面的空带之间的能量间隙较小，一 般在2eV以下。 所以，半导体中除了导带电子参与导电，价带空穴也参与 导电。半导体拥有电子和空穴两种载流子，呈现出许多独 特的物理性质。 1.各向异性模型 等能面是一系列环绕 的椭球面。 2.各向同性模型 等能面是一系列环绕 的球面。 极值位于空间原点 能量极值位于 导带底附近 价带顶附近 导带底能量 导带底电子有效质量 价带顶能量 价带顶空穴有效质量 理想半导体的能带模型 Ec Ev Eg 二.常见半导体的能带结构 1. Si的能带结构 (1)导带 多极值的能带结构 Eg=1.12eV (2)价带 由三个子带构成 a－重空穴带 b－轻空穴带 c－分裂带 (3) 间接带隙半导体 导带底和价带顶处于不同k值 2. Ge的能带结构 (1)导带 多极值能带结构 Eg=0.67eV (2)价带 与Si相同 (3) 间接带隙半导体 3. GaAs的能带结构 Eg=1.43eV 价带基本与Si、Ge相同 直接带隙半导体 导带底和价带顶位于同一k值. 直接带隙半导体与间接带隙半导体相比，在光吸收、发光、 迁移现象和非平衡载流子的复合等行为上有明显的区别。 4. Eg与温度T的关系 负温度系数，与材料有关 300K 1.12ev 0.67ev 1.43ev 0K 1.17ev 0.74ev 1.52ev 6.2 本征半导体和杂质半导体 一.本征半导体 无杂质和缺陷 存在本征激发 1.本征激发 价带电子成为导带电子的过程 2.能带图 3.禁带宽度 是电子脱离共价键所需的最低能量 电中性条件 2.半导体呈本征型的条件 (1)高纯度、结构完整的半导体 (2)高温下的杂质半导体 二.杂质半导体 1. n型半导体 主要依靠导带电子导电的半导体 电子摆脱共价键的束缚 价带电子成为导带电子 (1) 施主杂质 在Si、Ge Ⅳ族元素中掺入P、As、Sb等Ⅴ元素 形成一个正电中心和一个电子 提供导带电子－施主杂质 替位式杂质 (2) 施主杂质能级 (3) 施主杂质电离能 氢原子模型 A: 电子受到晶格势场作用，用有效质量 取代电子的惯性质量。 B: 杂质处于晶体中，考虑晶体介电常数 的影响。 施主能级和施主电离 施主掺杂—导带电子增多—n型半导体 氢原子基态电子的电离能 施主杂质的电离能 P As Sb Si 0.044 0.049 0.