gd2cuo4 薄膜与si, sio2 si 基底界面相互作用研究 - 北京电子能谱中心.pdf

V o l. 22 高 等 学 校 化 学 学 报 　N o. 10　 2 0 0 1 年 10 月 　　　　　　　CH EM ICAL JOU RNAL O F CH IN ESE UN IV ERS IT IES　　　　　　　　　 1703～ 1706　 2 4 薄膜与 , 2 基底界面 Gd CuO Si SiO Si 相互作用研究 1, 2 1 1 1 张英侠 　朱永法 　姚文清 　曹立礼 ( 1. 清华大学化学系, 北京 100084; 2. 中国农业大学化学系, 北京 100094) 摘要　采用 和俄歇电子能谱( ) 等技术研究了钙钛矿型 薄膜与基底 和 的界面 XRD A ES Gd CuO Si SiO Si 2 4 2 相互作用, 发现衬底对 Gd CuO 薄膜的晶化特性有很大影响. 以单晶Si 为基底时, Gd CuO 薄膜经 600 ℃ 2 4 2 4 热处理 1 即可形成钙钛矿型晶体结构, 而以 为基底时, 经 700 ℃热处理 1 才能形成较完善的钙 h SiO 2 Si h 钛矿型晶体结构. Gd CuO 薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大, 热处理时间对晶粒度则影响较小. 2 4 A ES 深度剖析表明, 形成的薄膜组成均匀, 在界面上有一定程度的扩散. 以Si 为基底时, Gd CuO 与基底 2 4 相互扩散, 以 为基底时则主要是薄膜中 , 向 层中的扩散. 线性分析表明, 在薄膜 Si SiO 2 Si Gd Cu SiO 2 A ES 与基底的界面上, 各元素的俄歇电子动能发生位移, 表明基底作用使界面上元素的化学环境发生了变化. 关键词　Gd CuO 薄膜; 晶化; 界面; 扩散; A ES 2 4 中图分类号　 643　　　　文献标识码　 　　　　文章编号(2001) O