lab4 金属电极蚀刻法实验 - 高雄第一科技大学.pdf

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lab4 金属电极蚀刻法实验 - 高雄第一科技大学

微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 Lab4 金屬電極蝕刻法實驗 4.1.實驗目的 練習以蝕刻法於晶圓上製作電極圖形 (pattern) ,並以光學顯微鏡檢測電極蝕刻結果。 4.2.實驗步驟 (1) 取出晶圓右上方部分(如圖 1 ),先將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清 潔晶片,洗去第一次微影之光阻圖形。 (2 ) 將晶片表面以PVD 方式濺鍍上金屬層(Cr) 。 圖 1 剝離法所用之晶圓圖形 (3 ) 以簡易清洗方式清洗濺鍍完之晶圓。 (4 ) 依Lab1的方式上光阻微影,將光罩右上角圖形轉移至晶圓光阻上。 (5 ) 以光學顯微鏡將圖中圈起部分(2處)以 OM照下來,並量測微影後特徵尺 寸的寬度。以檢驗第二次微影結果。 (6 ) 將微影完成之晶圓置於玻璃皿倒入鉻蝕刻液,以進行電極蝕刻。 4- 1 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 (7 ) 金屬蝕刻完成後,將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片,洗去微 影之光阻圖形。 (8 ) 再利用光學顯微鏡(OM)將圖 1圈選處( 2處),以OM拍攝電極蝕刻結果, 並量測特徵尺寸的寬度。注意每張 OM照片上都必須標示比例尺。 (9 ) 完整流程如表一 表一電極蝕刻實驗 光阻(PR ) 電極蝕刻的實驗步驟 Cr (1) 利用丙酮及異丙醇將矽晶片清潔 乾淨,接著在矽晶片上,用濺鍍 方式長金屬層(Cr) PR Cr (2) 接著光阻塗佈將塗佈完之 wafer 放 置加熱板上做軟烤動作。 (3) 利用微影製程,將所曝光的圖案, 使用顯影劑顯示圖案。 (4) 再用蝕刻鉻蝕刻液,將未受光阻阻 擋的部分蝕刻,蝕刻時間約十五分 鐘。 (5) 最後用丙酮將光阻剝離。 4-2 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 4.3.實驗報告 以下各項中,分別討論(a) lift-off 與(b)金屬蝕刻結果 1. 實驗目的 2. 實驗步驟 包括實驗過程與設定參數( ) 3. 實驗結果討論 (a) 實驗結果,以光學顯微鏡將指定的部分照下來,在照片中,請依顏色的不 同,分別標記為光阻、金屬 何種( ) 、及或/ Si 底材等區

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