vhf2pecvd制备微晶硅薄膜的微结构研究 - 岛津.pdf

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vhf2pecvd制备微晶硅薄膜的微结构研究 - 岛津

 第 38卷 第 1期            人  工  晶  体  学  报         Vol. 38 No. 1   2009年 2 月          JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S         Feb ruary, 2009 VHFPECVD 制备微晶硅薄膜的微结构研究 1, 3 2 3 3 张丽伟 , 余泽通 , 杨  根 , 卢景霄 ( 1. 新乡学院 ,新乡 453003; 2. 河南科技学院机电学院 ,新乡 453003; 3. 郑州大学物理工程学院材料 物理教育部重点实验室 ,郑州 450052) ( ) 摘要 :用甚高频等离子体化学气相沉积 VHFPECVD 法在玻璃衬底上低温制备了不同沉积时间微晶硅薄膜 。用 ( ) ( ) 拉曼散射光谱仪 、X射线衍射 XRD 、原子力显微镜 A FM 等表征手段对薄膜的微观结构进行了研究 。研究结果 表明:随着沉积时间的延长 ,薄膜呈岛状生长 ,薄膜晶粒度在微晶核形成后迅速升高并逐渐饱和 ;其微观结构经历 ( ) 了 “非晶相 →非晶 /微晶混合相 →微晶相 ”的演变过程 。本实验制备的微薄膜仍以 111 为优化取向。 关键词 :微晶硅薄膜 ;微观结构 ;微观形貌 中图分类号 : O484     文献标识码 : A     文章编号 : 1000985X (2009) 0 1023104 Study on the M icrostructure of M icrocry sta lline S ilicon Th in F ilm s by VHFPECVD 1, 3 2 3 3 ZHAN G L iw ei , YU Z etong , YAN G Gen , L U J ing x iao ( 1. X inxiang U n iversity, X inxiang 453003, Ch ina; 2. School of M echan ical and E lectron ic s, H enan In stitu te of Science and Technology, X inxiang 453003 , Ch ina; 3. Key L aboratory of M aterial Physic s of M in istry

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