直流反应磁控溅射制备的mo掺杂tio2薄膜的光电特性 - ingenta connect.pdfVIP

下载本文档

2
0
约 6页
2017-09-03 发布于天津
举报
版权申诉

直流反应磁控溅射制备的mo掺杂tio2薄膜的光电特性 - ingenta connect.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

直流反应磁控溅射制备的mo掺杂tio2薄膜的光电特性 - ingenta connect

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) February Acta Phys. -Chim. Sin . 2012, 28 (2), 381-386 381 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201112123 直流反应磁控溅射制备的Mo 掺杂TiO 薄膜的光电特性 2 颜秉熙1 罗胜耘1,2 沈杰1,* 1 2 ( 复旦大学材料科学系, 上海200433; 贵州民族学院理学院, 贵阳550025) 摘要: 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo 掺杂量的Mo-TiO 薄膜. 用原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射 2 (XRD)仪、X 射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo 掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响. 用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo 含量ITO/Mo-TiO 电极的 2 光电特性. 结果表明: 在TiO 薄膜中掺入的Mo 以Mo6+和Mo5+两种价态存在; 随着Mo 掺杂量的增加, Mo-TiO 2 2 薄膜的晶粒尺寸逐渐减小, 晶格畸变增大, 吸收阈值显著红移; 薄膜的禁带宽度先减小后增大, 在Mo 掺杂量为 2.7% (n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小; Mo 掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大, 且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势. 此后随着掺杂量的提高, 薄膜的光生电流开始下降, 当Mo 掺杂量达到3.6%时, 薄膜的光电流小于未掺杂的样品; 说明适当浓度的Mo 掺杂能够提高Mo-TiO 薄膜光电性能, 光生 2 电流最大可达未掺杂的2.4 倍. 关键词: 光生电流; 循环伏安; 直流反应磁控溅射; 二氧化钛薄膜; 钼掺杂中图分类号: O644 Photoelectric Properties of Mo Doped TiO Thin Films Deposited by DC 2 Reactive Magnetron Sputterin