硅纳米线的现代制备方法 (1).pdf

T 6Y胛L． 硅纳米线的现代制备方法 王 策 (河南师范大学物理与电子工程学院 ，河南新乡 453007) 摘 要 硅纳米线是一种新型的一维纳米材料 ，其独特的物理特性 ，使其在光电器件 ，纳米器件以及微 电子电路上有 很好的应用。简要概括了目前大规模制备硅纳米线的主流技术 ：激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发法以及金属辅 助化学腐蚀法。 关键词 硅纳米线 ；制备 ；生长机理 中图分类号 ：TB383 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671-7597(2014)15一O11O—O2 硅基半导体材料是 目前整个半导体器件和集成 电路的基础 ， 若不采用金属催化剂 ，利用氧化物辅助生长机理 ，也可 以 随着集成 电路 的高密度化 ，体硅逐渐难 以满足微 电子制造技术 制得硅纳米线。Lee“～12]等采用SiO与Si的混合物作为靶材 ， 的发展需求。硅纳米线作为一维硅纳米材料 ，在具有半导体性 于特定温度采用激光烧蚀 ，硅原子堆积到饱和状态后 ，开始延 质的同时 ，由于其直径与其德布罗意波长相当 ，还具有不同于 某一特定方 向析 出硅原子 ，从而形成微米长度的硅纳米线 。 体硅材料的量子限制效应 …、库仑阻塞效应以及光致发光等物 2化学气相沉积法 理特性 。更重要的是硅纳米线和 目前的硅基材料有极好 的兼容 化学气相沉积法 (CVD)是利用含有所需制备元素的一种或 性 ，因而在未来的纳米半导体材料 以及纳米 电子器件 中具有 良 几种气相单质或化合物在衬底表面上发生化学反应合成纳米材 好的应用前景 。 料 ，是 目前制备高质量硅纳米线应用最多的方法之一。CVD法 对于硅纳米线制备方法的研究发展迅速 ，最初 1998年利用 最早由Wagner和ElliS于1964年提出 “。后经学者不断研究 ， 照相平板蚀刻技术及扫描隧道显微方法 得到硅纳米线产量 其生长机理 (VLS)逐渐完善。该法首先通过热蒸发等方式在硅 较小 ，不能满足实际研究需求 ，同年即采用激光烧蚀法 ～ 制 衬底表面沉积一层金属纳米粒子催化剂 (如 Au，Cu)，在一定温 备出大量硅纳米线。目前已有多种方法可制备出大量硅纳米线 ， 度和真空度下通入硅 的前驱体 (SIC1，SiH)，在衬底上生长硅 目前的主流方法有激光烧蚀法 ，化学气相沉积法 ，热气相沉积 纳米线。 法以及近年来的金属辅助化学腐蚀法等。而生长机理则包括气一 CVD法制硅纳米线工艺简单 ，通过控制金属纳米催化剂粒 液一固 (VLS)生长机理 ，氧化物辅助生长机理及超临界溶液一 子大小 以及硅纳米线的生长条件 ，可 以生长 出不同直径 ，长度 液一固合成等多种机理。 和不 同掺杂浓度的硅纳米线。S．Hofmann“等利用不同厚度 的 1激光烧蚀法 Au膜得到了不 同直径与长度的硅纳米线 。但是 ，由于采用 Au 激光烧蚀法是一种将固体靶材放入真空或填充某种特定气 作为催化剂会在高温下的生长过程 中沾污 si，影响其 电学性能。 体的腔体 内，靶材在激光烧蚀下