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图1.1.3-4 掺有不同量砷施主杂质的掺金锗杂质光电导光谱分布曲线 　　由图可知，光电导在光子能量0.7eV附近陡起明显，表示本征光电导开始。在本征光电导长波限左边，光子能量小于锗禁带宽度（0.68eV），这时光电导显然是杂质光电导。光谱曲线继续向左边延伸时，可以看到，在某一波长处曲线迅速下降，这就是杂质光电导的长波限。此处光子的能量等于杂质的电离能。能量再低的光子就不可能激发杂质上的电子或空穴。 　　图1.1.3-4中三条曲线各表示掺有不同量的砷施主杂质。金元素在锗中存在多重能级，在不加砷施主杂质时，金是受主，锗是P型半导体（P型Ge:Au），从曲线中看到，长波限在0.05eV处。当加入少量砷施主杂质，此时锗晶体仍是P型（P型Ge:Au:As），长波限相应于0.15eV。当加入足够多的砷施主杂质时，致使锗晶体从P型转变为N型（N型Ge:Au:As），从曲线中可看到长波限相应于0.2eV。 问题：直观的比较光电发射效应（外光电效应）、光电导效应（内光电效应）原理上有什么不同，制作的光电元件性能上有什么不同？ 提示：可从响应波段的范围及响应速度等角度思考。包括光电管的体积、结构的简单性、对环境温度的敏感度等。 §1.1.4 光生伏特效应 　　光生伏特效应指的是由光照引起电动势的现象。 　　半导体界面包括有：由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面，即PN结；金属和半导体接触的