磁控溅射制备nb掺杂izo薄膜光电学性能研究 - 材料研究学报.pdfVIP

第30 卷 第9 期 材 料 研 究 学 报 Vol. 30 No. 9 2 0 1 6 年 9 月 CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH September 2 0 1 6 磁控溅射制备Nb 掺杂IZO 薄膜 光电学性能研究 曹明杰 赵 明 庄大明 郭 力 欧阳良琦 孙汝军 詹世璐 (先进成形制造教育部重点实验室 清华大学材料学院 北京 100084) 摘要通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb 掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO) 。运用XRD 、光 致发光、Hall 测试等检测方法分析INZO 薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明, INZO 相较于Ga 掺杂 的IZO (IG