有源器件研究.pptx

有源电路基本原理;MIXER;单栅场效应晶体管混频器;平衡式场效应晶体管混频器原理图;设计考虑： RF与LO端口的设计 偏置 为使变频跨导达到最大，外加直流偏置为 输出回路 筛选中频 阻抗变换 中频陷波 本振注入 栅极注入 源极注入 栅极电阻使栅极直流电位为0，源极电阻上的直流压降作为栅极负偏压;双栅场效应晶体管混频器;?;?;An F-band Fundamental Mixer Using 75-nm InP HEMTs for Precise Spectrum Analysis; 模块封装采用E面探针的形式实现波导到微信信号的过渡。信号一边从介质板上面馈入，一边从介质板下面馈入。通过这种方法使波导法兰盘的影响降到最低，并且不需要将波导进行弯曲，减小了微带线的长度，降低了损耗。;A W-Band Single-Ended Downconversion/Upconversion Gate Mixer in InP HEMT Technology;A 210 GHz, Sub-harmonically-Pumped Active FET Mixer MMIC for Radar Imaging Applications; 在双栅结构与共源放大之间的λ/4 线对于LO信号是short-to-open ，对于射频信号是short-to-short。;the mixer consumes 36 mW of DC power (24 mA drain current);A G-band (140 - 220 GHz) Microstrip MMIC Mixer operating in both Resistive and Drain-Pumped Mode;传统的FET混频器的设计，栅极的偏置电压应该是截断电压，漏极零偏压。然而，高频的阻性混频器，栅极偏压一般选择在当源漏电压较低时跨导最大的点，这样是为了降低对本振功率的要求。如果本振电压越大，器件的偏置电压越靠近截断电压。 阻性混频的主要优势是极好的线性、极好的性能以及直流损耗为零。然而，由于漏极偏置电压为0，所以阻性混频具有变频损耗，不具有变频增益。 漏极混频（Drain Mixer），FET的偏置点位于直流I-V特性曲线的“曲膝点”处。本振信号加到漏极，控制源漏电导与跨导。射频信号加到栅极，当漏极没有LO信号的时候FET作为一个共源的放大器。DM可以有变频增益以及一个不错的噪声系数，但是当信号比较大的时候可能有潜在的不稳定性;一个锥形的CPW——微带线的过渡结构可以提供一个良好的信号过渡，但是占据较大的面积;总结：;Multiplier;场效应晶体管倍频器;?;A类倍频工作机理;AB类倍频器工作原理;理想FET倍频器中的电流与电压波形;?;多谐波Load-pull仿真设置。终端代表反射系数;Schematic circuit diagram of the 110–220-GHz doubler;The dc power consumption is also quite low (from 6 to 14 mW for input power levels from 1 to 4 dBm);Schematic circuit diagram of the 140-GHz tripler.;maximum dc power consumption of 40 mW;Proceedings of the 10th European Microwave Integrated Circuits Conference;Doubler MMIC left, and mixer MMIC right, mounted on a silicon substrate with interconnecting bond wires.;255 to 330 GHz Active Frequency TripIer MMIC;1;Miniaturized Ultra-Broadband G-Band Frequency Doubler MMIC;两个共栅与两个共源的FET对称合成一个四指的FET结构;总结：;LNA;A 155-GHz Monolithic Low-Noise Amplifier;The total dc power consumption is only 35 mW;Metamorphic HEMT MMICs and Modules for Use in a High-Bandwidth 210 GHz Radar;Metamorphic H-Band Low-Noise Amplifier MMICs;ABTL：插入损耗与回波损耗的仿真与测试之间