数字电路第7章半导痰腻存储器.pptVIP

第七章 半导体存储器;§7. 1 概述; 存储器实际上是将大量存储单元按一定规律结合起来的整体，它可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。每个房间有一个号码 ( 地址码 )，每个房间内有一定内容( 一个二进制数码，又称一个“字” )。;7.2只读存储器(ROM);A1A0;A1A0;A1A0;假设 ：;假设 ：;假设 ：;0; 左图是使用 MOS 管的ROM 矩阵：; 7.2.2可编程只读存储器(PROM) ;图7.2.5 PROM管的结构原理图; PROM 中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，于是又发展了一种可以改写多次的 ROM，简称 EPROM。它所存储的信息可以用紫外线或 X 射线照射檫去，然后又可以重新编制信息。;7.2.3可重复编程只读存储器(EPROM);2)叠栅型EPROM工作原理;3)EPROM实例介绍（2716）; 2716的工作方式; ２．EEPROM;当隧道区的电场强度大到一定的时候，便在漏区和浮置栅之间出现导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。这种现象称为隧道效应。 为了提高擦、写的可靠性，并保护隧道区超薄氧化层，在EEPROM的存储单元中除Flotox管外还附加了一个选通管，如图7.2.11所示。;图7.2.12 E2 PROM存储单元的三种工作状态（a）读出状态 （b）擦除（写1）状态 （c）写入（写0）状态; 在写入状态下，应使写入0的那些存储单元的Flotox管浮置栅放电。为此，在写入0时令控制栅GC为0电平，同时在字线Wi和位线Bi上加20V左右、宽度约10ms的脉冲电压。这时浮置栅上的存储电荷将通过隧道区放电，使Flotox管的开启电压降为0V左右，成为低开启电压管（表示写了0）。读出时，GC上加3V电压，Flotox管为导通状态。EEPROM是按字节写入或擦除的。; 快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷性，而且集程度可以作得很高。;闪存储器中仅为10~15mm。而且浮置栅与源区重叠的部分是由源区的横向扩散形成的，面积极小，因而浮置栅-源区间的电容要比浮置栅-控制栅间的电容小得多。当控制栅和源极间加上电压时，大部分电压都将降在浮置栅与源极之间的电容上。这有利于提高擦、写速度。快闪存储器的存储单元就是用这样一只管子组成的。; 快闪存储器的写入方法和EPROM相同，即利用雪崩注入的方法使浮置栅充电。在写入状态下，叠栅MOS管的漏极经位线接至一个较高的正电压（一般为6V），VSS接0电平，同时在控制栅加一个幅度12V左右、宽度约10μS的正脉冲。这时D-S间将发生雪崩击穿，一部分速度高的电子便穿过氧化层到达浮置栅，形成浮置栅充电电荷。浮置栅充电后，叠栅MOS管的开启电压为7V以上，字线为正常电平时不会导通。;§7. 3 读写存储器( RAM );一、SRAM的结构和工作原理;图7.3.2 1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图;二、静态存储单元;介绍基本存储单元的工作原理:;VCC;VCC;VCC;7.3.2动态随机存储器(DRAM); 在三管动态MOS存储单元电路中，信号以电荷形式存储在T2管的栅极电容C之中。电容上的电压VC控制着T2的开关状态，给出位线上的高、低电平。控制读和写的字线和位线是分开的。读的字选线控制着T3管的开关状态，写的字选线控制着T1管的开关状态。 T4是同一列存储单元公用的预充电MOS管。; 进行写操作时，令写字线为高电平，于是T1管导通，输入的数据加到写位线上，通过T1与T2管的栅极电容C接通，于是便将输入的高、低电平信号存储到C上面。; 单管动态MOS存储单元电路由一只N沟道增强型MOS管T和一个电容CS组成。; 例如读出操作前VCS=5V，CS/CB=1/50，则位线上的读出信号将??有0.1V。而且在读出以后CS上的电压也只剩下0.1V，所以这是一种破坏性读出。因此，需要在DRAM中设置灵敏的读出放大器，一方面将读出信号加以放大，另一方面将存储单元里原来存储的信号恢复。;灵敏恢复/读出放大器包含一个由T1~T4组成的锁存器和三个控制管T 5 、T 6 和T7 放大器的一个输出端与位线B和存储单元相连，另一输出端接至一个虚单元上。虚单元的存储电容CF上存入一个介于高、低电平之间的参考电平VR.; 三、DRAM的总体结构; 7.4存储器容量的扩展;7.4.1. 扩大 RAM( 如2114 )的位数;7.4.2. 增加 RAM( 如 2114 )的字数;D3;A11;7. 5用存储器实现组合逻辑函数;例7.5.1 试用ROM设计一个八段字符显示译码器,其真值表由表7.5