电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体_邓正.pdfVIP

评述 电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体* 2013－09－08收到 † email：jin@iphy.ac.cn 邓正 赵侃 靳常青† DOI：10.7693/w (中国科学院物理研究所 极端条件物理重点实验室 北京 100190) New types of diluted magnetic semiconductors with decoupled charge and spin doping DENG Zheng ZHAO Kan JIN Chang-Qing† (Key laboratory of extreme condition physics ，Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics ，and Institute of Physics ，Chinese ，Academy of Sciences ，Beijing 100190，China) 摘 要 兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体将有可能突破Moore定律的瓶颈。文 章介绍了作者实验室近年来发现和研究的电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体，目前这 类新型稀磁半导体的铁磁转变温度可以与(Ga,Mn)As相比拟，并有望进一步实现室温铁磁。 关键词 稀磁半导体，电荷自旋注入分离 Abstract Diluted magnetic semiconductors (DMSs) that combine both charge and spin quantum freedom are promising for developing new generation information technologies. We report our recent work on new types of DMSs with decoupled charge and spin doping. Their highest Curie temperature in the bulk form is comparable to that of typical (Ga, Mn)As, making room-temperature ferromagnetism within reach. Keywords diluted magnetic semiconductor, decoupled charge and spin doping 含有磁性元素，故被称为浓缩磁性半导体。这类 1 引言 材料最大的问题是很难制备高质量的薄膜，而 且无法与现有半导体技术兼容。真正意义上的稀 半导体科学和技术构成现代信息社会的基础， [2] 磁半导体研究是从II-VI 族基半导体开始的 ， 信息处理与存储需求的迅猛增长亟需能够突破 微量掺杂的+2 价磁性离子(见图1(c))只引入了局 Moore 定律瓶颈的新型信息载体。电子具有电荷和 域磁矩，却不提供载流子，所以材料的电性很 自旋两种重要的量子属性，传统半导体只应用了电