材料工程基础讲稿2的.pptVIP

;固态相变均匀形核时的形核率可以用下式表示 式中 N－形核率，n－单位体积母相中的原子数，ν－原子振动频 率，Q－原子扩散激活能，K－Boltzmann常数，T－相变温度 （K）。 由于固态下Q值较大，且固态相变形核功也较高，与凝固过程 相比，固态相变均匀形核率非常小。 2．非均匀形核 金属固态相变主要非均匀形核，形核位置往往在母相中的某些晶 体缺陷处，其系统自由焓总变化为 与式（1－1）相比，多了一项－ΔGd，晶体缺陷能。该项的存在 将导致临界形核功的明显降低，从而大大促进形核率提高。; 1）晶界 大角晶界具有高的界面能，在晶界形核时可 使界面能释放→相变驱动力，以降低形核功。 晶界可分为界面、界棱、 界隅。作为形核的优先位置 以界隅、界棱、界面排列。 但在过冷度较大时，形核已 无能量障碍，因为晶界面积最大，提供的形核位置 最多，所以晶界对形核的贡献最大。 ;2）位错 新相在位错线上形核 ①可由位错线消失时所释放出来的能量作为相变驱 动力以降低形核功； ②新相形核时位错不消失，而依附于新相界面上构 成半共格界面上的位错部分，以补偿错配度，从而降低应 变能，使形核功降低； ③溶质原子在位错线上偏聚，使溶质含量增高，便于 满足新相形成时所需的成分条件，使新相晶核易于形成； ④位错线可作为扩散的短路通道，降低扩散激活能， 从而加速形核过程； ⑤位错可分解形成有两个分位错与其间的层错组成扩 展位错，使其层错部分作为新相的核胚而有利于形核。 3）空位 可通过加速扩散或释放自身能量提供形核驱动力 促进形核。;§1－5 固态相变时的晶核长大 新相晶核的长大实质是新相界面向母相方向的迁移。 依固态相变类型和晶核界面结构的不同，其长大机理也不 同。 1、新相长大过程 传质过程：有成分变化的新相长大需满足成分条件—— 溶质原子的扩散。 界面过程：界面附近原子调整位置。 协同性：界面原子有规律调整，相邻关系不变； 非协同性：界面原子无规律调整，相邻关系关系变化。 有成分变化——溶质原子扩散； 成分不变——没有溶质原子扩散。;1）半共格界面的迁移 平界面：位错柏氏矢量b平行于界面，若界面沿法线 方向迁移，界面位错必须攀移→界面移动—难以实现的。 台阶界面：界面位错分布于各个台阶界面上，位错 的滑移运动使台阶发生侧向迁移→界面沿其法向推进— 台阶式长大。 ;2）非共格界面的迁移 晶核与母相间呈非共格界面时： 界面上的原子排列紊乱——无规 则的过渡薄层。 原子移动的步调不协同，相 对位移距离不等，其相邻关系也可 能发生变化，随着母相原子不断地 向新相中转移，界面便沿其法线向 前推进，从而使新相不断长大—— 非协同型长大。 在非共格界面的微观区域中呈现台阶结构时： 台阶平面是原子排列最密的界面，台阶高度相当于一个原子 层，通过原子从母相台阶端部向新相台阶上转移，便使新相台阶发 生侧向移动，引起界面推进——新相长大。 非共格界面的迁移是通过界面扩散进行的——扩散型相变。 ;2.新相的长大速度 新相的长大速度决定于界面迁移速度。 无扩散型相变，如马氏体转变，由于相界面迁移是通过点阵切 变完成的，不需要原子扩散，具有很高的长大速度。 对于扩散型相变，由于界面迁移 需借助于原子的短程扩散或长程扩散， 故新相的长大速度相对较低。对于扩散 型相变来说，又分为新相长大时无成分 变化和有成分变化两类。 ; 1）无成分变化的新相长大 设新相为α,母相为β,两相成分相同。原子振动频率为ν， ΔGV为两相自由焓差，Q为β相中一个原子越过相界进入到α相所 需的激活能，T为相变温度。当母相中的原子通过短程扩散越过相 界面进入新相中时，导致相界面向母相中迁移——新相逐渐长大。 长大速度受界面短程扩散所控制。β相中振动原子中具有激活能Q 的原子概率为 时,则β相中原子能够越界跳向α相的频率 为 即在单位时间内将有原子从β相 跳到α相。同理，α相中的原子也可 能跳到β相 ; 若单层原子厚度为δ，则界面的迁移速度v应为 当过冷度较小时，△GV很小，大大小于KT，此时 在这种情况下，长大速度与驱动力呈正比，新相的长大速度随 温度的降低而增大。 当过冷度很大时， △GV＞ ＞ KT，