第章半导体材料.ppt

* Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有Ⅳ族元素半导体所没有的或不及的优良性质： 迁移率高。GaAs的电子迁移率是Si的6倍，因而是制备高频、高速器件的理想材料。 禁带宽度大。可用作高温、大功率器件。 能带结构是直接跃迁型，光电转换效率高，可作半导体激光器和发光二极管等。 3.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 * GaAs的能带结构 3.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 * GaAs的能带结构及其主要特征： GaAs的导带极小值k=0处，价带极大值也在k=0处，为直接带隙型。 GaAs材料具有负阻特性。 GaAs的禁带宽度大，对晶体管而言，其工作温度的上限是与材料的Eg成正比的。因此，GaAs器件可在450℃下工作，击穿电压大，适于作功率器件。 GaAs的电子迁移率比Si大得多，可用作高频和高速器件。 3.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 * 在具有直接跃迁型能带半导体中，当价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带或相反，电子从导带落到价带与空穴复合而发光时，这种过程应满足能量守恒和动量守恒条件。 发生电子跃迁时要求k值保持不变，显然具有直接跃迁型结构的材料都能满足这一要求。 3.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 * 而间接跃迁型材料要实现跃迁必须与晶格作用，把部分动量交给晶格或从晶格取得一部分能量，也就是要与声子作用，才能满足动量守恒的要求，因而非直接跃迁发生的几率是很小的（约为直接跃迁的1/1000）。因此在寻找新的发