氧化锌压敏陶瓷概要1.docx

综合实验（材料制备科学基础与研究方法）ZnO压敏陶瓷的制备与表征实验报告班 级 电科科学与技术姓 名 陈海瑞学 号 导老师 徐海燕 时 间 2015年12 —2016年 1月 安徽建筑大学材料与化学工程学院实验目的：使学生在材料实验的基本知识、基本方法和基本技能等方面受到较系统的训练，理论联系实际，培养学生的实验能力，良好的实验习惯以及严谨求实的科学作风提高学生科学实验的素质、创新精神。使学生较早地参加专业科研活动，为今后解决本学科的问题打好基础。通过完成电子材料制备与表征方法的综合性实验，使学生达到：掌握常用基本电子材料制备和表征仪器的工作原理，学会正确使用和分析。 了解电子材料的成型、烧结方法，知道如何根据要求确定实验方案、选择实验仪器设备、如何减少实验误差，掌握基本实验方法。 初步学会用实验去观察、分析、研究电子材料制备过程中出现的现象和实验规律。通过实验加深对某些重要理论和规律的认识和理解。 学会对实验进行误差分析和不确定度评定的基本方法，培养学生正确分析处理实验数据、正确表达和评价实验结果的初步能力。 养成良好的实验习惯和严谨的科学作风，特别是严肃认真对待实验数据，杜绝弄虚作假，树立事实求是的科学态度和道德。能根据实验要求写出规范的实验报告。 提高进行科学实验工作的综合能力，包括实际动手能力、分析判断能力、独立思考能力、革新创造能力、归纳总结能力、口头表达能力等。实验原理： ZnO压敏陶瓷生产方法是在ZnO 中添加Bi2 O3、Co2 O3、MnO2、Cr2 O3、 Al2 03、Sb2 03、Ti02、Si02、B2O3 和PbO 等的氧化物。在配方中常含有Bi元素，其主晶相为具有n型半导体特性的ZnO；此外，瓷相中除有少量添加物与ZnO形成的固溶体外，大部分添加物在ZnO晶粒之间形成连续晶相。主晶相ZnO是n型半导体，体积电阻率为10 ·m以上的高电阻层。因此，外加电压几乎都集中在晶界层上，其晶界的性质和瓷体的显微结构对ZnO电阻的压敏特性起着决定性作用。一般ZnO的粒径d为几微米到几十个微米，晶界层厚度为0．02～0．2 ；也有人认为晶界相主要集中于三到四个ZnO晶粒交角处，晶界相不连续，在ZnO晶粒接触面间形成有一层厚度20U左右的富铋层，其性质对非线性特性起重要作用。一般认为ZnO晶粒之间的富铋层是由分凝进入晶界的富铋的吸附层，带有负电荷，它使ZnO晶粒表面处的能带发生上弯，形成电子势垒。晶粒边界势垒由带有负电荷的富铋层所分隔，由于它极薄，可近似将这层中的体电荷看成面电荷，ZnO晶粒层之间为耗尽层。当外加电压达到击穿电压时，高的场强(E105I(v／m)使界面中的电子穿透势垒层(富铋层)引起电流急剧上升，其通流容量由ZnO的晶粒电阻率所决定.实验条件:实验药品与试剂： 名称含量厂家TiO299.0%天津市津悲精细化工有限公司ZnOρ＝5.6成都化夏化学试剂有限公司Ni2O370.0~75.0%国药集团化学试剂有限公司Bi2O3La2O398.0%天津市光复精细化工研究所Sb2O599.5%成都化夏化学试剂有限公司Cr2O399.0%国药集团化学试剂有限公司SiO299.99%成都化夏化学试剂有限公司MnO285.0%天津市光复精细化工研究所Co2O399.0%天津市光复精细化工研究所实验设备：电子分析天平，药匙，称量纸，玛瑙研钵，刚玉坩埚，球磨机（附带球磨罐和磨球），高精度恒温水浴，1200 oC\1300 oC\1600 oC箱式电阻炉，1300 oC推扳式电热隧道窑，1300 oC气氛炉，压片机（附带各种模具）。消耗性器材：化学试剂（分析纯），银浆测试仪器：XRD衍射仪，激光粒度分布仪，SEM（扫描电子显微镜），LCR阻抗谱测试仪（要附带各种夹具），温敏电阻特性测试仪。实验过程：把原料按化学计量比分别进行配料（按一批20 g左右或0.3 mol左右的量进行计算）。ZnO压敏陶瓷掺杂计算：(95-x) ZnO + 0.6 Bi2O3+1.0 Sb2O5+1.0 Co2O3+0.5 MnCO3+0.5 Cr2O3+ 1.4 SiO2 + x La2O3，x=0.2计算配料量：ZnOBi2O3Sb2O5Co2O3MnO2Cr2O3SiO2 La2O323.1473g0.8387 g0.9706 g0.4976 g0.1304 g0.2280 g0.2524 g0.1955 g实际称量量：ZnOBi2O3Sb2O5Co2O3MnO2Cr2O3SiO2 La2O323.1463g0.8391 g0.9712 g0.4978 g0.1290 g0.2289 g0.2522