沉积压力对P型微晶硅材料结构特征和光电性能的影响论文.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料．161· 沉积压力对P型微晶硅材料结构特征 和光电性能的影响术 ■ 俞远高1侯国付2王锐1 薛俊明2耿新华2杨瑞霞1 1河北工业大学信息学院，天津300130 2南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室 天津 300071 【摘要】 在微晶硅太阳电池中，P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响。本文 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF·PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅 (c-Si：H)薄膜材料，重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、 电学特性、结构特性的影响。结果发现：沉积速率随压力的增加而不断提高， 材料的暗电导、晶化率随压力的增加先提高后降低，而激活能的变化趋势与之 相反，在晶化率最高点，材料在(220)的晶向衍射峰最高。最后在高压下结合 优化其他参数，在厚度为38nm时获得了电导率为0．183 Scm一，激活能为 37 meV，晶化率为50％的优质P型微晶硅薄膜。 【关键词】 射频等离子增强化学气相沉积P型微品硅沉积压力 EfflectofPressureonStructureand FeaturePhotoelectricPerformanceof P SiliconThinFilm TypeMicrocrystalline YuYuan·Ga01RuilHouGuofu2Xue Ruixial Wang Junmin92GengXinghua2Yang 1 Hebei ． UniversityofTechnology，Tianjing300130，China； 2 of Institute thinmmdevicesand ofNankai photo-electronic technique thinfilmdevicesand KeyLaboratoryofphotoelectronics techniqueofTianjin，KeyLaboratory of InformationScienceand ofEducation Optoelcctronic Technology，ChineseMinistry 0引言 P型微晶硅材料在微晶硅薄膜太阳电池中起到了关键的作用，它既作为电池的窗口层， 同时也与N层材料一起形成电池的内建电场。沉积压力是采用射频等离子增强化学气相沉积 2006CB202603)的支持。 ·162． 中国太阳能光伏进展 型微晶硅材料沉积速率、电学特性和结构特性的综合影响。 1实验 力变化范围为200～550 Pa。用Keithley617进行材料的暗电流测试，然后算出电导率。激活 x射线衍射谱采用DPmax22500X射线衍射仪进行测试。 2结果和分析 2．1 压力对沉积速率的影响