C_注入a_SiN_x_H的原子化学键合的研究.pdfVIP

第 28 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 28 　No . 3 2007 年 3 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Mar . ,2007 C+ 注入 aSi Nx ∶H 的原子化学键合的研究 1 1 , 2 2 1 陈　超 　刘渝珍 　董立军 　陈大鹏 　王小波 ( 1 中国科学院研究生院 , 北京 100049) (2 中国科学院微电子研究所 , 北京 100029) 摘要 : 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的 aSiN x ∶H 薄膜进行 C + 注入 ,能量为 30keV ,剂量为 2 ×1017 cm - 2 . 对 C + 注入的 SiN x 薄膜在 800 ℃的温度下 ,进行 2h 的常规炉退火处理. 通过 XPS ,A ES 的测量得到 , 经 800 ℃高温退火处理后的薄膜形成了部分 SiC N 结构. 用喇曼 、XP S 等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量 x y 与分析 ,得到不同退火温度对离子注入形成 SiCN 薄膜结构与成分的影响 , 认为高温退火后薄膜 中硅含量与 SiC N 薄膜的形成有重要的关系. x y 关键词 : C + 注入 ; SiCN ; XPS ; 高温退火 PACC : 6855 ; 6860 中图分类号 : TN 3042 + 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2007) 0304 1505 虽能加快薄膜的生长速率 ,但是不利于 C —N 键的 1 　引言 形成 ,而是促使 C —N 键向 C —Si/ C —C 的转化. 自1985 年 L iu 和 Co h e n 预言存在一种与金刚 由于化学变化及局部结构重组的可控性 ,离子 石硬度相当的 CN 化合物后 , 掀起了一股碳氮薄膜 注入为研究薄膜材料结构与性能之间的关系提供了 生长的热潮. 但常见的薄膜都是非晶态 , 之后有人发 良好手段. 于是一些研究人员通过离子注入方式制 现在生长碳氮薄膜时加入少量的 Si 有助于晶体结 备纳米 SiCN 材料. 用 N + 注入 SiC 是期望获得晶 β 构的形成. 对 C N 的优 良性能的深入研究 ,启发 化 、性能更加优异的膜的好方法 ,其根本 目的是提高 3 4 和促使研究人员于 1996 年发现并确认了 SiCN 薄 实际应用时的性能[9～12 ] . N akao 等人[9 ] 在 SiC 中注 膜 ,该薄膜 由于具有强硬度[ 1 ,2 ] 、抗氧化性 、高热扩 入 N + ,他们认为随着 N + 剂量的增加 ,薄膜表层硬 散率以及宽禁带[ 3 ,4 ] 等优 良特性 ,使对 SiCN 薄膜的