第三章逻辑门电路.pptVIP

门电路： 逻辑门电路是够实现各种基本逻辑关系的电路，简称“门电路”或逻辑元件。最基本的门电路是与门、或门和非门。利用与、或、非门就可以构成各种逻辑门。 在逻辑电路中, 逻辑事件的是与否用电路电平的高、低来 表示。 若用1代表低电平、0代表高电平，则称为正逻辑。相 反为负逻辑。 集成门按内部有源器件的不同可分为两大类：一类为双极型晶体管集成电路，主要有晶体管TTL逻辑、射极耦合逻辑ECL和集成注入逻辑I2L等几种类型；另一类为单极型MOS集成电路，包括NMOS、 PMOS和CMOS等几种类型。常用的是TTL和CMOS集成电路。 集成门电路按其集成度又可分为：小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）。 3.1 二极管的开关特性 开关器件 接通状态：阻抗很小，相当于短路 断开状态：阻抗很大，相当于开路 二极管的开关特性表现在在正向导通与反向截止两种状态之间的转换过程。 二极管产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应 二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上是由于电荷存储效应所引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。 正向充电电流远大于反向放电电流，因此，反向恢复时间远大于正向导通时间。 二极管的开通时间 二极管从截止转为正向导通所需的时间称为开通时间。 开通时间同反向恢复时间相比是很短的，对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。 3.2 BJT的开关特性 BJT的开关时间 BJT的开关过程和二极管一样，也是内部电荷“建立”和“消散”的过程。 BJT饱和与截止状态的相互转换也是需要一定的时间才能完成的。 对BJT开关的瞬态过程进行定量描述的几个参数 延迟时间td 上升时间tr 存储时间ts 下降时间tf 开关时间： 开通时间ton= td + tr 关闭时间toff= ts + tf 要设法减小，提高BJT开关的运用速度 2．或门电路 二、三极管非门电路 三、DTL与非门电路 3.4 TTL逻辑门电路 TTL逻辑门电路由若干BJT和电阻组成 TTL电路的基本环节是带电阻负载的BJT反相器（非门） 1．基本BJT反相器的动态性能 器件内部和负载电容，影响BJT反向器的开关速度 TTL反向器的基本电路 采用输入级提高工作速度 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 TTL反向器的传输特性 传输特性即Vo=f（VI）的关系曲线（光滑） TTL与非门的基本结构及工作原理 3.4.5 TTL与非门的技术参数 1、传输特性 各种类型的TTL门电路，其传输特性大同小异。 2、输入和输出的高低电压 （1）输出高电平电压VOH——在正逻辑体制中代表逻辑“1”的输出电压。VOH的理论值为3.6V，产品规定输出高电压的最小值VOH（min）=2.4V。 3、噪声容限 表示门电路的抗干扰能力 高电平的噪声容限VNH 高电平（逻辑1）所对应的电压范围 VNH =VOH-VIH 低电平的噪声容限VNL 低电平（逻辑0）所对应的电压范围 VNL =VIL-VOL 低电平噪声容限 VNL＝VOFF-VOL（max）＝0.8V-0.4V＝0.4V 高电平噪声容限 VNH＝VOH（min）-VON＝2.4V-2.0V＝0.4V （1）输入低电平电流IIL——是指当门电路的输入端接低电平时，从门电路输入端流出的电流。 可以算出： （2）输入高电平电流IIH——是指当门电路的输入端接高电平时，流入输入端的电流。有两种情况。 ①寄生三极管效应：如图（a）所示。这时IIH=βPIB1，βP为寄生三极管的电流放大系数。 4、扇入扇出数 TTL门电路的扇入数Ni取决于其输入端的个数 TTL门电路的扇出数 讨论：TTL与非门驱动同类门的情况 灌电流负载 负载电流从外电路流入与非门 拉电流负载 负载电流从与非门流向外电路 （1）灌电流负载 NOL称为输出低电平时的扇出系数。 （2）拉电流负载。 扇入数-灌电流驱动同类门的个数 NOL=IOL（驱动门）/IIL（负载门） 扇出数-拉电流驱动同类门的个数 NOH=IOH（驱动门）/IIH（负载门） 一般NOL≠NOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。 通常基本的TTL门电路扇出数约10，性能好的可达30-50 开关速度 （2）采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电。 6、功耗 静态功耗 当电路没有转换时的功耗，即与非门空载时电源总电流Icc与电源电压Vcc的乘积。 输出低电平时的功耗：空载导通功耗Pon 输出高电平时的功耗：截止功耗Poff 动态功耗 发生在状态转换瞬间，或电路中有电容性负载时 如：TTL门电路约有5pF的输入电容，由于电容的充放电过程，将增加电路的损耗 对