水热法合成硅铍钠石晶体.pdfVIP

第27卷 第4期 桂 林 工 学 院 学 报 Vo1．27 No．4 2007年11月 Journal of Guilin University of Technology NOV． 2o()7 文章编号：1006—544X(2007)04—0542—03 水热法合成硅铍钠石晶体 阮青锋h ，张良钜 ，张昌龙 ，邱志惠 ，4 (1．中国地质大学 资源学院，b．地球科学学院，武汉 430074；2．桂林工学院资源与环境工程系，广西桂林 541004； 3．桂林矿产地质研究院，广西桂林 541004；4．广西师范大学化学化工学院，广西桂林 541004) 摘 要：采用水热法，在380℃、填充度为70％的条件下，以1．5和2．0 mol／L Na2CO，作为矿化 剂，反应时间72 h，合成了硅铍钠石晶体．晶体以等轴粒状的八面体晶形为主，有少量四方柱状 晶形．应用双目立体显微镜、SEM和XRD进行测试分析，发现在碱性较弱的环境中合成的晶体， 除了硅铍钠石晶体外，还有一定量的六方柱状钙霞石晶体存在．提高晶体生长溶液的碱度，则硅 铍钠石晶体的量明显增多． 关键词：水热法；硅铍钠石；晶体生长；晶体形貌 中图分类号：0782．2 文献标志码：A 硅铍钠石在自然界极为少见，主要发现于格 成一定浓度的溶液，然后加入到黄金衬套管中， 陵兰和科拉半岛…．天然的硅铍钠石产于碱性岩 将黄金衬套管密封后装入高压釜中；根据计算好 体的方钠石正长伟晶岩和霞石正长伟晶岩中，单 的量，在高压釜和黄金衬套管之间的空隙中加入 个晶体极为少见，主要呈柱状和等轴粒状，常常 去离子水，密封后升温，晶体开始生长，3 d后断 以块状集合体形态产出．晶体属斜方单锥晶类 开电流，自然冷却到室温，取出高压釜打开，用 (C2,一ram2(L22P))，是一种潜在的功能晶体材料． 高纯去离子水反复冲洗样品，待自然晾干后用于 本文在前人研究 ]的基础上，试图用水热法来合 观察和测试．晶体生长的具体工艺条件见表1． 成硅铍钠石晶体，以进一步研究其性能． 表1 晶体生长的工艺条件 1 实验部分 Table 1 Growing conditions of ehkalovite crystals 工艺参数名称 工艺参数数值 1．1 仪器与原材料 原材料 绿柱石颗粒 采用温差水热法进行晶体生长，主要仪器设 1．5 mol／L Na2CO3， 矿化剂 备有自行设计的温差井式电阻炉和高压釜，高压 2．0 mol／L Na2CO3 釜内径22 lnln，内部装有黄金衬套管． 高压釜内的充填度 65％ 一70％ 挡板的开孔率 5％ 一10％ 生长晶体所用的原材料主要包括碳酸钠 (化 籽晶的切向或形状 球形籽晶 学纯)、绿柱石． 原材料溶解区温度 420—470 oC 1．2 实验方法 晶体生长区温度 380—420 oC 1．2．1 样品的生长 首先将绿柱石原材料切割成 原材料溶解区与晶体生长区