沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.pdfVIP

№．6 陕西科技大学学报 Dec．2007 · 66· JOURNAL OF SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE＆ TECHNOLOGY V01．25 文章编号：1000—5811(2007)06—0066—03 沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 王 晶 ，余花娃 (1．西安工程大学理学院，陕西 西安 710048；2．西北大学物理系，陕西 西安 710069) 摘 要：采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的(002)晶面取向的ZnO薄膜． 利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对 ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为1OO w时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的c轴取向和最小半高宽，此时 ZnO薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性． 关键词：磁控溅射；ZnO薄膜；沉积温度；光致发光 中图分类号：O472 ．1；TN304．055 文献标识码：A 0 引言 ZnO为II～IV族宽带隙半导体，具有六角密堆结构，同时它属于6 mm晶系，点阵常数日一0．325 0 nm，c一0．520 6 nm，带隙Eg一3．37 eV，而且它的束缚激子能高达60 meV，比GaN的21 meV高得多，更 容易在室温下获得强激子发射，并有更好的抗辐射损伤、更能与硅微电子集成工艺相容、更易于在这种工 艺基础上实现光电集成，同时ZnO薄膜的生长温度较低，来源丰富，价格低廉，材料环保．ZnO作为新一代 的宽带半导体材料具有广泛的应用，尤其在压电性能方面，由于它具有较高的机电耦合系数和较低的介电 常数，因此可以用于制作体声波(BAW)滤波器／共鸣器、表面声波(SAW)滤波器／共鸣器以及微型传感器 和声光器件 铷． 现在用于制备半导体薄膜的技术都可以制备ZnO薄膜，常用制备方法有化学气相沉积法、溶胶一凝胶 法、脉冲激光法 、等离子体沉积法及磁控溅射法 叩等．其中化学气相沉积法使用的原材料大多是易燃、 有毒物质；溶胶一凝胶法制备的薄膜有微气孔，工艺复杂，薄膜稳定性差；脉冲激光法不易用于制备大面积 薄膜，设备昂贵；等离子体沉积法制备薄膜组分偏离，薄膜附着不牢；磁控溅射法可以溅射各种固体材料， 得到很高的溅射速率，且薄膜的附着性好，各种参数易于控制，因而得到了广泛应用． 本文采用反应射频磁控溅射方法在硅衬底上成功制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜，研究了薄膜的 微观结构、表面形貌和光学性能随沉积温度的变化规律，并对不同沉积温度下的薄膜的表面粗糙度进行了 分析．本文的研究目的是探讨沉积温度对薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响． 1 实验 本实验应用FJL520型高真空磁控与离子束复合溅射设备，采用RF反映磁控溅射法在硅(100)和载 玻片上制备ZnO薄膜，这种方法易于控制溅射气氛比例以及薄膜的组分和厚度，并且衬底温度可以很低， 以防止高温促进基底表面氧化．实验所用的锌靶材的纯度为99．99 ，直径466 mm，厚度5 mm，制备前用 丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗；本底真空压强为2×10 Pa；通人高纯度Ar和0z为溅射气体；溅射 时气压保持在1．5 Pa．基底与溅射靶的间距为50 mm，溅射功率为100 W，溅射时间为2 h．靶在正式溅射 · 收稿日期：2007～10—10 作者简介：王 晶(1979一)，女，陕西省西安市人，助教，在读硕士生，研究方向：凝聚态 基金项目：国家自然科学基金资助项目，国家重点基础研究发展规划基金资助项目(2004CB619302) 第 6期 王 晶等：沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 ·67· 前先预溅射10 min以清洗靶材表面并使系统稳定。 采用B／max-255o／pc型X射线衍射仪(cuK ， 一1．540 5A)对薄膜进行晶粒取向分析；采用原子力 显微镜(Digital Instruments—Nano Scope III)测试样品的表面形貌和粗糙度；采用光栅光谱仪测量薄膜的 光致发光特性。 2 结果与讨论