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BSP100,135;中文规格书,Datasheet资料
Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode BSP100
TrenchMOS transistor
FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• ’Trench’ technology d VDSS = 30 V
• Low on-state resistance
• Fast switching ID = 6 A
• High thermal cycling performance
• Low thermal resistance g RDS(ON) ≤ 100 mΩ (VGS = 10 V)
RDS(ON) ≤ 200 mΩ (VGS = 4.5 V)
s
GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT223
N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTION
field-effect transistor in a plastic 4
envelope using ’trench’ 1 gate
technology.
2 drain
Applications:-
• Motor and relay drivers 3 source
• d.c. to d.c. converters
• Logic level translator 4 drain (tab) 1 2 3
The BSP100 is supplied in the
SOT223 surface mounting
package.
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBO
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