扫描隧道显微镜技术初探.PDF

Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software For evaluation only. 扫描隧道显微镜技术初探 高晖 摘要 实验中诸多外界因素影响了最后得到的图像的分辨率和清晰度，需要屏蔽这些因 素，以增强仪器的抗干扰能力。 Key Words：STM，Tunnel Effect 引言 1982年，IBM瑞士苏黎士实验室的G.Binning和H.Rohrer研制出世界上 第一台扫描隧道显微镜（Scanning Tunneling Microscope）。STM使人类第一 次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物 化性质，两人也因此获得诺贝尔奖。 通过本实验，可以加深对量子力学中隧道效应的理解，熟悉STM的实际操 作，并观测到样品原子尺度的图像。 实验采用NanoSPM-III型扫描隧道显微镜，在恒高模式下对VCD母盘和光 栅的表面结构进行观测。 图1 NanoSPM-III Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software For evaluation only. STM的核心原理：隧道效应（Tunnel Effect） 考虑一维势垒： 图2 一维势垒 经典理论中，对于I区的低能量粒子（EU ），其穿透II区势垒达到III区 0 的概率为零。 而在量子力学中，由于粒子具有波动性，粒子在III区的波函数并不为零， 2a 其透射系数为T 16E (U 0 E ) e h 2m(U0 E ) ，这种效应称为隧道效应。 U 2 0 STM应用了电子的隧道效应，物质表面的电子在表面边界外部呈指数衰减，衰 减长度约1nm。若探针与样品表面距离很近，他们的电子云便会发生重叠，此 A s 时在探针与样品间加一偏置电压V，则能得到他们之间的隧道电流 : V e 。 t J t t 式中A为常数（真空下约为1）， 为样品表面平均势垒高度，s为针尖与样品 间距。可见距离变化0.1nm，隧道电流变化能达到一个数量级。由于隧道电流 对距离变化的高度敏感，STM可以得到原子级分辨率的样品表面图像。 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software For evaluation only. 图3 STM系统 用STM观测VCD母盘与光栅样品 扫描参数设置如下 样品 高度范围 电流范围 扫描范围 X/Y偏移 扫描角度 VCD 75.99nm 5nA 2299nm -320.88/-250.69nm 0 光栅 35nm 2nA 1800.nm 750.78