提升等离子体初始密度抑制逃逸电子的实验研究.PDF

第30 卷 第4 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.30, No.4 2 0 1 0 年 12 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics Dec. 2010 文章编号：0254−6086(2010)04−0332−03 提升等离子体初始密度抑制逃逸电子的实验研究 1, 2 1 1 1 1 1 竹锦霞 ，段卓琦 ，巨洪军 ，蔡武德 ，朱 俊 ，陈忠勇 (1. 云南师范大学物理与电子信息学院，昆明 650092 ；2. 四川文理学院物理与工程技术系，达州 635000) 摘 要：利用硬X 射线诊断监测逃逸电子，研究了HT-7 装置放电初始阶段不同等离子体初始密度对逃逸电 子产生过程的影响。实验结果表明，提高等离子体初始密度能有效地抑制逃逸电子的产生。 关键词：逃逸电子；等离子体密度；硬X 射线 中图分类号：TL61+2.11 文献标志码： A 1 引言 生机制，也称为雪崩过程。在初级产生过程，根据 托卡马克欧姆加热等离子体中，等离子体电流 Fokker-Planck 方程，可得到逃逸电子分布函数的稳 是利用变压器原理感应产生的环向电场驱动的。等 态解[5] 。次级产生过程是指已经存在的逃逸电子和 离子体中的电子不仅受环向电场加速，而且受到与 本底电子发生近距离库仑碰撞，使其获得高于逃逸 粒子的碰撞而减速。碰撞阻力大小与速度大小的平 阈值的能量而成为逃逸电子，而这些逃逸电子再和 方成反比。当电子受到碰撞阻力平衡于环向电场力 本底电子发生近距离库仑碰撞从而产生更多的逃 时，电子速度大小即为电子逃逸的临界阈值。若电 逸电子，其数目呈现指数性增长，所以次级过程也 子的速度超过临界阈值时就持续地从环向电场中 称为雪崩过程。如果高能逃逸电子已经存在，次级 获得能量，转化为逃逸电子，逃逸电子的能量可达 产生将变的更为重要[2] 。初级产生过程在等离子体 到非常高的水平(几十MeV) ，因而高能逃逸电子束 放电的初始阶段占主导地位。在放电初始阶段，由 对装置的第一壁构成了严重的威胁。 于等离子体密度相对较低，环电压相对较高，电子 在托卡马克等离子体放电的整个过程中都可 容易逃逸[6] 。 能产生逃逸电子[1] 。在低密度放电中容易产生大量 当电子受到的碰撞阻力平衡于电场力时，可得电 的逃逸电子，且能量可达数十MeV 。逃逸电子会对 子逃逸的能量阈值[7]为： [2] 3 装置第一壁材料造成严重危害 。如何避免逃逸电 1 2 e n ln Λ(2 +Z ) W m v e eff c 0 crit 2 子的产生，发展有效的逃逸抑制手段是当前托卡马