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施主受主对发光半导体中杂质间也可能发生光跃迁最典型的是半导体中的施主杂质与受主杂质间的发光跃迁俘获在施主上的电子跃迁到俘获有空穴的受主上也即与此空穴复合在这过程中这一对施主受主的状态由变为同时发出一个光子这称之为施主受主对发光这种发光在典型的化合物半导体中都被观察到发光的激发可由两种途径进行带带间激发之后一个电子被离化的施主所俘获而离化受主则俘获一个空穴随后二者复合发光施主受主对发光的基本特点考虑相距的一对施主和受主假定这样的系统开始时初态施主俘获有一个电子受主俘获有一个空穴因而二者都是电中性的
4.4 施主-受主对发光
半导体中杂质间也可能发生光跃迁。最典型的是半导体中的施主杂质与受主杂质间的发光跃迁，俘获在施主上的电子跃迁到俘获有空穴的受主上，也即与此空穴复合。在这过程中，这一对施主受主的状态由（）变为（），同时发出一个光子。这称之为施主-受主对(DAP)发光。这种发光在典型的III-V，II-VI化合物半导体中都被观察到。
DAP发光的激发可由两种途径进行：
（a）带—带间激发之后，一个电子被离化的施主所俘获，而离化受主则俘获一个空穴，随后二者复合发光；
（b）4.4.1 施主-受主对发光的基本特点
考虑相距r的一对施主和受主，假定这样的系统开始时（初态）施主俘获有一个电子，受主
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