微掩膜效应：he和ar.ppt

已刻蚀的通孔：停止于Au SiC刻蚀：750W/100W/12mTorr GaN刻蚀：350W/25W/3mTorr Cl2/BCl3 GaN刻蚀速率：190nm/min 对Ni或Au选择比：5:1 停止点由无GaN残留时从光学上确定 刻蚀进阶 Ni刻蚀停止层的去除 湿法腐蚀：H2SO4 /H2O2 /H2O (3:1:4) 成品率数据 采用优化条件，通过16轮实验测定成品率 750W/100W, 5 min Ar 预处理 750W/100W SF6 /O2 /Ar 50:10:50 sccm 刻蚀 成品率 约100% 最初5片完整2英寸光学估测成品率90% 结 论 刻蚀速率提高到500nm/min, 同时沟道效应可以控制 通过Ar的预处理及刻蚀中引入Ar，可以控制微掩膜效应 研磨倾斜及非均一刻蚀已通过Ni刻蚀停止层解决 在可接受的刻蚀速率下得到95%的薄SiC晶片刻蚀成品率 激光钻孔 导通孔制备的一种方法 极高的刻蚀速率：10s左右 选择合适的激光，装置，优化功率，可产生较小的碎片， 并无干法刻蚀中的掩膜沟道或微掩膜效应 激光提供可观的材料适用弹性，并不需要附加的过程 背面过程中的激光通孔 激光钻孔的机制 UV激光钻孔装置 大面积加工 UV激光钻孔的光束轮廓 未整形的准分子激光光束是高斯及 平台顶分布，不适合均匀的曝光 单一装置的多重钻孔 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 末端斜坡 UV激光钻孔实例 锁口喷嘴 30um出口 集成了液体储存器及通道的喷嘴 UV激光钻孔实例 圆柱形物件的钻孔 UV激光钻孔实例 直径：75+/-2 um 零倾斜孔 0.5mm衬底 准分子激光成型vs基于光刻的成型技术 (a) 激光烧蚀技术 (b) 基于光刻的技术 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 高产率和快划线速率产生的极窄结果 动 因 激光钻孔速度快，但串行，产生小颗粒，且对正面金属无选择性 ICP刻蚀更适合大面积晶片及大导通孔密度的器件 目 标 ICP刻蚀SiC通孔的发展 刻蚀速率应超过250nm/min 刻蚀轮廓应各向同性 高的掩膜选择比 微掩膜效应最小化 Au被刻穿前刻蚀须停止 以前的工作 SiC晶片总厚度: ～275um ICP 刻蚀条件： SF6：50sccm O2：10sccm 压强：7mTorr ICP功率：750-950mW Rf功率：100-250mW 温度：25℃ 速率：~0.65um/min 严重的微掩膜 沟道效应 7mTorr下，沟道效应明显 Au被刻穿的危险增大 起因：高离子流导致孔底部的离子堆积 将压强增至12mTorr可消除沟道效应 ICP功率和离子能量没有作用 速率同时降至250nm/min 提高刻蚀速率 使用SF6/O2 刻蚀速率很慢 12mTorr下，250nm/min 刻蚀深度及暴露面积增大，孔直径减小时，刻蚀速率下降 目标： 确定速度限制阶点 提高刻蚀速率，但不破坏刻蚀轮廓，避免沟道及微掩膜效应 提高刻蚀速率：等离子体化学组分 加入阳性气体提高正离子流量 He,Ar 都可以提高速率 与He相比，Ar原子更重，具有较低的电子碰撞电离阈值能 够到效应仍然存在，但可以忽略 50sccm的流量最优 微掩膜效应 严重问题导致大块导通孔刻蚀失败 形成柱状物 高密度的柱状物导致刻蚀失败 微掩膜效应：起源 不挥发性刻蚀产物的再沉积 坚硬的刻蚀掩膜 托盘 刻蚀腔体：铝夹具 SiC中的缺陷 传递 研磨过程产生的颗粒和缺陷 微掩膜效应：He和Ar 添加He和Ar显著降低微掩膜数量 三幅图取自同一晶片 微掩膜效应：预处理 进一步提高： 柱状物高度一致且数量不随刻蚀深度增加而增加 表明其是由于近表面缺陷或污染引起 刻蚀前引入物理溅射处理 盘状蓝宝石 研磨前SiC晶片安装在盘状蓝宝石上 由于工艺过程的困难，晶片减薄至100um，以期望整个背面工艺过程中晶片保留在盘状蓝宝石上 前面的工作表明，不同的刻蚀托盘中，Al会产生不可接受的微掩膜效应 盘状蓝宝石 SF6/O2导致通孔彻底失败 SF6/O2/Ar得到了意想不到的效果！ 盘状蓝宝石 另外，刻蚀速率有很大提高 可能由于热导降低，导致表面在刻蚀时温度较高 各种气分下，速率提高~35% Au穿透 刻蚀过程中可能发生Au穿透，导致刻蚀失败 研磨过程中引入的倾斜可能足够大以致于在其他通孔中SiC清除前，有些位置的GaN和Au已经刻穿 Au穿透：Ni刻蚀停止层 低RF功率提高选择比，但 降低SIC刻蚀速率 等离子体不稳定 引入Ni刻蚀停止层 与当前工艺兼容 选择比：~50：1 150nm可以允许9umSiC 10%的过刻蚀 已刻蚀的通孔：停止于GaN 5min Ar预处理 SF6/O2/Ar: