硅基发光纳米结构的设计及其应用展望.PDF

硅基发光纳米结构的设 硅基发光纳米结构的设 计及其应用展望 计及其应用展望 第一讲 未来半导体业5-10年发展的重要方向 未来半导体业5-10年发展的重要方向 • 无论是长达几十公里终端间的光纤通信，还是机房内各 • 无论是长达几十公里终端间的光纤通信，还是机房内各 机架、服务器间的光纤通讯都已经使用到光纤通讯。而 机架、服务器间的光纤通讯都已经使用到光纤通讯。而 硅光电技术的最大宗旨和目标是做到至少芯片间的通 硅光电技术的最大宗旨和目标是做到至少芯片间的通 讯，实现向现在我们常见的普通半导体芯片一样的大规 讯，实现向现在我们常见的普通半导体芯片一样的大规 模级别的生产，而这也是未来半导体业5-10年发展的重 模级别的生产，而这也是未来半导体业5-10年发展的重 要方向之一。 要方向之一。 未来半导体业5-10年发展的重要方向 未来半导体业5-10年发展的重要方向 • 传统光通信类似分以下几个部分：光源、光波导、光调 • 传统光通信类似分以下几个部分：光源、光波导、光调 制、光探测、封装以及最后的大批量生产。 制、光探测、封装以及最后的大批量生产。 • 在未来5年-10年间，如果不出意外Intel的硅光子技术至 • 在未来5年-10年间，如果不出意外Intel的硅光子技术至 少会应用于芯片与芯片间的互联。从现在产品性能来 少会应用于芯片与芯片间的互联。从现在产品性能来 看，它已经超越了现有传统光电通信的性能。 看，它已经超越了现有传统光电通信的性能。 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 • 基于载流子雪崩效应，从而提供电流内增益的光电二极 • 基于载流子雪崩效应，从而提供电流内增益的光电二极 管称为雪崩光电二极管。 管称为雪崩光电二极管。 • 常见的雪崩光电二极管有：Ge-ADP和Si-ADP两种光电二 • 常见的雪崩光电二极管有：Ge-ADP和Si-ADP两种光电二 极管。 极管。 • 雪崩光电二极管在光通信，激光测距和光纤传感技术中 • 雪崩光电二极管在光通信，激光测距和光纤传感技术中 有广泛的应用。雪崩光电二极管具有内增益，可以降低 有广泛的应用。雪崩光电二极管具有内增益，可以降低 对前置放大器的要求。 对前置放大器的要求。 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 • 进入耗尽区的光生电子被雪崩电场加速，获得很高 • 工作原理：进入耗尽区的光生电子被雪崩电场加速，获得很高 工作原理： 的能量，在A处与晶格上的原子发生冲击碰撞使原子电离，产生新的电 的能量，在A处与晶格上的原子发生冲击碰撞使原子电离，产生新的电 子-空穴对，新的空穴又被雪崩电场反向加速，获得更高的动能，在途 子-空穴对，新的空穴又被雪崩电场反向加速，获得更高的动能，在途 中E处再次与晶格上的原子发生冲击碰撞使原子电离，产生又一个新的 中E处再次与晶格上的原子发生冲击碰撞使原子电离，产生又一个新的 电子-空穴对…….，上述过程反复进行，使pn结的电流急剧增大，形 电子-空穴对…….，上述过程反复进行，使pn结的电流急剧增大，形 成雪崩效应。 成雪崩效应。 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 硅光电探测器的发展 • Intel在2008年末宣布了一项在硅光电技术上的研究成果— • Intel在2008年末宣布了一项在硅光电技术上的研究成果— —硅基光电雪崩探测器达到了有史以来的最高340GHz的 —硅基光电雪崩探测器达到了有史以来的最高340GHz的 “增益带宽积”。它的意义从整体来看，主要是硅光电子 “增益带宽积”。它的意义从整体来看，主要是硅光电子 器件性能首次超越同样功能的传统材料光电子器件；而如 器件性能首次超越同样功能的传统材料光电子器件；而如 此好性能的 “硅基”探测器也让Intel实现芯片间、芯片内 此好性能的 “硅基”探测器也让Intel实现芯片间、芯片内 光信号互联的未来目标更近了一大步。 光信号互联的未来目标更近了一大步。