铁电极化调控SnSe 薄膜光电性质研究 - 哈尔滨工业大学学报.PDF

第４８卷　 第 １１期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ４８ Ｎｏ１１ 　 　 ２０ １６年１１月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｎｏｖ． ２０１６ 　 　 　 　 　 　 ｄｏｉ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１６．１１．００１ 铁电极化调控 ＳｎＳｅ薄膜光电性质研究 １，３ ２ ２ ２ １ 宋　 波 ，韩杰才 ，郝润豹 ，李加杰 ，王先杰 （１．哈尔滨工业大学 理学院，哈尔滨 １５０００１；２． 哈尔滨工业大学 航天学院，１５０００１哈尔滨； ３．哈尔滨工业大学 基础与交叉科学研究院，哈尔滨 １５０００１） 摘　 要：利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在铌酸锂基片上沉积ＳｎＳｅ 薄膜，研究了不同极化方向的铁电基片对ＳｎＳｅ 薄膜光电性 质的影响． 控制ＰＬＤ沉积时间，在铌酸锂基片上沉积出不同厚度的ＳｎＳｅ 薄膜．Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱的结果显示制 备了高取向的单相ＳｎＳｅ 薄膜． 薄膜横截面高分辨透射电镜结果显示了薄膜具有较高的结晶质量． 在无光照情况下，当铁电极 化方向指向薄膜时，极化场可向ＳｎＳｅ 薄膜中注入电子，使ｐ 型ＳｎＳｅ 薄膜的电阻增加；当极化方向背离薄膜时，极化场可向 － ＳｎＳｅ 薄膜中注入空穴，使ｐ 型ＳｎＳｅ 薄膜的电阻降低． 当用仅能使ＳｎＳｅ 薄膜发生电子 空穴分离的６３２ｎｍ激光照射时，不同极 － 化方向的样品都表现出光电导增加的现象． 当用４０５ ｎｍ激光照射时，不同极化方向的铌酸锂与薄膜界面处发生的电子 空穴 分离使ＳｎＳｅ 薄膜表现出完全不同的光电导效应． 利用能带模型解释了不同铁电极化方向的铁电基片对ＳｎＳｅ 薄膜光电导性质 调控的机理． 关键词：铁电极化；铌酸锂；ＳｎＳｅ 薄膜；光电调控；脉冲激光沉积 ＋ － － － 中图分类号：Ｏ４７２ ．８ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１６）１１ ０００１ ０６ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＳｎＳｅ ｔｈｉｎ⁃ｆｉｌｍ ｒｅｇｕｌａｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ １，３ ２ ２ １ １ ＳＯＮＧ Ｂｏ ，ＨＡＮＪｉｅｃａｉ ，ＨＡＯ Ｒｕｎｂａｏ ，ＬＩ Ｊｉａｊｉｅ ，ＷＡＮＧ Ｘｉａｎｊｉｅ （１． Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈ