MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路(一).PDF

知识讲座 doi:10.3969/j.issn.1563-4795.2012.03.016 【编者按】 电力电子器件是半导体功率器件的总称， 是构成电力电子设备的基础， 是从事电力电子 器件设计、 研发、 生产、 营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。 本刊从去年 月份 4 开始以 “ 电力电子器件知识” 为题开展讲座， 以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。 欢迎厂家及用户的工程师们撰稿， 并望提出宝贵意见。 电力电子器件知识讲座 ( 十二) MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路(一) 乔恩明 薛玉均 刘 敏 （供稿） 本刊编辑部 张乃国 改编 ( ) 上接第 期第 页 ( 2 60 ) 电力电子设备中工作频率在20kHz 以上的功率 变换器， 其功率开关器件主要使用双极性晶体管 (GTR) 、 场效应晶体管 (MOSFET) 、 绝缘栅晶体管 等。 使用 、 比使用 具有更 (IGBT) MOSFET IGBT GTR 多的好处。 它们具有驱动功率小、 器件功率容量 大等优点， 是目前变换器广泛应用的开关器件， 为此本讲座重点介绍MOSFET 、 IGBT功率器件栅极 驱动电路的设计。 1 IGBT的基本驱动电路及驱动方式 图1 IGBT的典型驱动电路图 1.1 IGBT驱动电路基本工作原理 IGBT ， 选择-15V 。 开通时， 驱动电压最佳值为+ 15V10％ 。 15V的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱 (1) 基本驱动电路 和， 这时通态压降也比较低， 同时又能有效地限 由于IGBT为场控器件， 导通或截止主要由栅 制短路电流值和因此产生的应力。 若驱动电压低 极控制电压决定。 另外， 除了电压以外， 还需要 于 ， 则 通态损耗较大， 处于欠压驱 12V IGBT IGBT 一定的驱动功率。 图 为 的典型驱动电路。 1 IGBT 动状态。 若驱动电压20V ， 则难以实现IGBT 的过 首先必须确定驱动电压， 由于IGBT 的输入电 流， 短路保护， 影响IGBT可靠工作。 容较MOSFET大， 因此IGBT关断时， 最好加一个负 IGBT 的栅极电压UGE 的范围一般定在≤±25～ 偏电压， 且负偏电压比MOSFET大， IGBT 的负偏压 30V ， 若超出此标准， 则会损坏栅极， 一般外加+ 值最好在-5V 至-10V 之间， 对于大功率高耐压的 的稳压管 个， 使得 的电压尖峰限制在