单片集成螺旋变压器及巴伦的设计与优化.pdfVIP

摘要 摘要 随着无线通信的迅猛发展，人们对通信系统的要求越来越高，如小型化、低功耗和可靠性，用 比拟的优点，尤其在超大规模数字集成电路方面的主导地位使得全CMOS单片集成通信电路成为将 射频和基带单片集成的最可能方案。 高品质无源器件的缺乏已经成为CMOS射频集成电路的设计瓶颈之一。作为主要的片上无源器 件之一，变压器在低噪声放人器、压控振荡器、功率放大器和滤波器等几乎所有的射频电路模块中 源变压器及巴伦的设计方法至今尚不完善，从而限制了它们在集成电路中的应用。 本论文的任务是使用标准CMOS工艺实现适合射频电路应用的片上无源变压器和巴伦。研究的 接受的模拟工具进行设计。首先讨论了仿真工具的设置并通过实验验证了仿真精度。然后使用此上 具对片上螺旋变压器及巴伦的设计进行了全面的分析和研究。从片上螺旋变压器的集总元件等效模 型入手，阐述了片上螺旋变压器不理想的耦合和线圈间存在的寄生效应对器件性能造成的影响。然 后在理论分析的基础上，通过大量实验比较得到片上螺旋变压器及巴伦的几何结构与性能之间的关 系。并且借鉴片上螺旋电感的设计经验和多层金属工艺的便利对其进行优化。同时讨论了电容调谐 在窄带射频应用中对性能的提升作用。根据这些分析获得工作在射频并经过优化的片上螺旋变压器 和巴伦的结构，总结出现有的标准CMOS工艺条件下片上螺旋变压器及巴伦的设计方法。这些设计 通过实际流片和测试得到了验证。本文也简要讨论了衬底耦合隔离结构的设计问题，为片上螺旋变 压器和巴伦的保护环设计提供了设计指导。虽然本文讨论的变压器是用硅集成电路工艺制造，这个 研究方法也同样适合在诸如GaAs等绝缘或半绝缘衬底上制造的器件。 关键词：片上螺旋变压器，巴伦，射频集成电路，CMOS工艺 Abstract withthe ofwireless demandsof Along rapiddevelopmentcommunications，therising h radio small and integrated size，low—powerJI曲reliablefrequency in the of tremendousinterestsmonolithic components．Owning generated passive cost．CMOS have a in andlow gainedleadingplaceverylarge mass，production processes scale full—CMOSmonolithic circuits(VLSI)，SO integrated integrated becomethemostviablescheme． Thelackof deviceshasbecomethebottleneckinCMOSRFICs． high qualitypassive the elementsinRF can in Transformersareoneof important applications．Theyapplied