TFTGLCD制程中SandMura的失效模式分析及改善研究.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ２ 　　 Vol．３０　No．２ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ ４ 　 　 　 A r．２０１５ p 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０２Ｇ０２５７Ｇ０６ TFTＧLCD制程中SandMura的失效模式 分析及改善研究 ∗ , , , , , , 史高飞 沈奇雨 许徐飞 宋 洁 赵 娜 韩基挏 李乘揆 　 　 ( , ) 合肥京东方光电科技有限公司 安徽 合肥 ２３００１１ : ( ) , , 摘要 在薄膜晶体管液晶显示器件 TFTＧLCD 的制作过程中 Mura是一种常见的不良现象 它可以直接影响到产品的 . , / ( / )、 ( )、 画面品质 本文结合生产工艺的实际情况 采用宏观微观检查设备 MacroMicroM M 扫描电子显微镜 SEM 聚焦 ( ) , . , 离子束测试仪 FIB等设备进行检测分析 研究了产品开发过程中出现的SandMura问题 实验结果表明 SandMura , , 发生的主要原因是像素电极 ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂 导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常 进而阻 ; , 挡了光的透过而形成暗点 通过变更 ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施 防止了像素电极在 PVX过孔处因过刻 , , . , 引起的断裂 不良发生率降至 ０．３％ 产品质量得到了很大的提高 此外 过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避 , . 免该不良的发生 为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础 : ; ; ; ; 关 键 词 过刻 厚度 刻蚀时间 　 　 TFTＧLCDSandMura 中图分类号: 文献标识码: : / TN８７　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０２５７ Researchandim rovementofSandMurafailuremodein p TFTＧLCDarra rocess