znw04单晶衬底制备zno薄膜的发光性能 - 中国管理科学.PDF

第32卷第10期 北京工业大学学报 v01．32No．10 2006年10月 0F UNIVERSITYOFTECHNOL()GY 0ct．2006 JoURNALBEIJING znw04单晶衬底制备zno薄膜的发光性能 臧竞存1，田战魁1，邹玉榨1．刘燕行2，迟静1，翟 琳1，叶建萍3 (1．北京工业大学材料科学与工程学院。北京100022；2．北京工业大学环境与能源工程学院 北京100022；3．中国科学院化学所光化学重点实验室。北京100080) 光学特性的zn0薄膜通过理论计算和实验论证分析了znw0I单晶作为制备znO薄膜的衬底材料的可行性． 结果表明，znwq晶体的n晶面与znO晶体的c晶面晶格匹配很好，最佳方位晶格失配率只有0．83％，是制备 znO薄膜的优良衬底．用波长325 nm光激发，薄膜在396nm有较强的荧光发射． 关键调：zno；薄膜；衬底；发光；znwq；溶胶凝腔法 中翻分类号：04s2．31 0948—05 文献标识码：A 文章编号：0254i0 znO是一种Ⅱ一Ⅵ族直接宽带隙半导体材料(室温下E。=3．37ev)，其禁带宽度对应紫外光的波长，是 开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件的首选材料．从目前国际上zno的研究现状来看．研究的主要 内容包括：1)zno的声型掺杂和却结的制作，n型材料的制备方法已经比较成熟。目前尚不能得到优质 的p型材料．因而难以制成却结；2)利用zrlo制作半导体激光器．紫外激光器件的研制将引起光信息 有光电、压电等性能，成为集成光电器件中的一种极具潜力的材料；4)高质量的znO薄膜的生长和现有器 件的改进高性能的器件依赖于高质量的材料，但目前zn0薄膜的质量还有待进一步提高．对应不同器 件的要求，改进生长系统以得到高质量的材料，是目前的一个研究方向．利用znO单晶已实现紫外受激 发射但是，采用水热合成法制备znO单晶困难，国内还没有大尺寸znO单晶的报道[1]．鉴于体材单晶 制备有很大的难度，人们更多地把注意力集中在zno薄膜生长研究方面． 寻找适宜的衬底材料成为制各高质量znO薄膜的关键．已报道的衬底材料主要有玻璃、硅单晶、白 上生长p型zno，并把这种成功归于外延层晶格匹配．但是，作为衬底材料的基片依然如上述几种。成为 困扰高质量zno薄膜制备的主要问题之一．采用znw0。单晶作衬底，尚未见报遭．本文将介绍用zn— w04单晶作衬底，采用溶胶一凝胶法制备znO薄膜及其发光性能． 1实验 收稿日期：2005—05—30 作者简介：臧竞存(1947一)．男．河北顺平人．教授 万方数据 第10期 藏竞存等：znw04单晶衬底制备znO薄膜的发光性能 ml／L，然后将混合液置 于60℃水浴中，经过充分搅拌后，制成透明溶胶．薄膜制备采用浸渍提拉法进行镀膜，就是将基片浸入溶 胶，然后以一定速度缓慢提拉出基片．浸渍提拉法要求基片固定无震动、提拉过程平稳．为获得均匀的膜 厚，必须精确控制提拉速度并尽量减小基片和液体表面的振动，镀完1层后置于电阻炉中预烧10min，再 进行第2次镀膜．本实验镀膜每层厚度约为20～40nm．zn0薄膜荧光光谱测试采用RF一540荧光分光 光度计． 2结果与讨论 2．1 znw仉单晶基片衬底制备zno薄膜的优点 1．O)pm，6=(570．O±O．5)pm，f=(495．o±0．5)pm，卢=90’05 面体的坐标，其氧平面与znoc面氧间距极为接近，晶格失配率小．根据表1所示的znwod晶体结构的 pm．同理。Q、03间距z2=327．60pm，03、01间距f3=282．07 301．68 mc，晶体结构中。按六方紧密堆积排列，每 的O原子分布相似．zno晶体属六方晶