晶体硅中铁沉淀规律.pdfVIP

　第 24 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 24, . 11 V o l N o 　2003 年 11 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S N ov. , 2003 晶体硅中的铁沉淀规律 1 1 1 1 1 1 2 席珍强 　杨德仁 　陈　君 　王晓泉 　汪　雷 　阙端麟 　 H J M o eller ( 1 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州　3 10027) (2 , , 1, 09596　 , ) In st itu te fo r Exp er im en ta l Phy sic s TU F reib erg Silb erm ann St r F reib erg Germ any 摘要: 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 1100 ℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数 载流子扩散长度的影响. 红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低, 而且其尺寸较大; 在 铸造多晶硅中, 铁易在晶界上沉淀, 沉淀规律也依赖于冷却速度. 表面光电压仪测试结果表明: 无论在直拉单晶硅 材料中还是在铸造多晶硅材料中, 快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大. 实验结果可以用铁沉淀生 成的热力学和动力学规律解释. 关键词: 硅; 铁; 沉淀; 少数载流子 : 6280 ; 6 170 ; 8130 PACC C R M + ( ) 中图分类号: TN 304 1 2　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 2003 [ 12～ 16 ] 究 . 但是对于高温热处理后在不同冷却速度下 1　引言 单晶硅和铸造多晶硅中铁沉淀的规律及其对少子寿 命的影响, 则很少有人研究[ 17, 18 ]. 众所周知, 硅基微 铁作为最普通的过渡族金属很容易玷污硅片. 电子器件的制备是在高温下进行的, 这样来 自于不 ( 室温下铁在硅中的溶解度很小 每立方厘米约几个 锈钢设备中的铁杂质极有可能玷污硅片, 在随后的 )