第6讲 光电成像器件.pptVIP

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  • 2017-07-05 发布于湖北
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CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料, 因而受光后产生电子的原理相同, 并且具有相同的灵敏度和光谱特性,但是读取过程不同:CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移,整个电路非常复杂;CMOS 则以类似 DRAM 的方式读出信号,电路简单。CCD的时钟驱动、逻辑时序和信号处理等其他辅助功能难以与 CCD 集成到一块芯片上,这些功能可由 3~8 个芯片组合实现,同时还需要一个多通道非标准供电电压来满足特殊时钟驱动的需要;而借助于大规模集成制造工艺,CMOS 图像传感器能容易地把上述功能集成到单一芯片上。 CCD 大多需要三种电源供电,功耗较大,体积也比较大. CMOS 只需一个 (3~5) V 单电源,其功耗相当于 CCD 的 1/10;高度集成 CMOS 芯片可以做的比人的大拇指还小。到目前为止,面向数码相机的CCD固体摄像元件的最高像素已超过800万,而像素最高为1680万的CMOS图像传感器正在开发中。 需要指出,电荷耦合器件(CCD)并不仅限图像传感器这一种应用,它在模拟信号处理方面也有很好的应用价值。 CCD器件为什么必须在动态下工作?其驱动脉冲频率的上下限受哪些条件限制。 二相驱动CCD,像元数N=1024,若要求最后位仍有50%的电荷输出,求电荷转移损失率?。 有5mm工件,要求用线阵CCD测量,分辨率优

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