非晶矽薄膜太阳能电池之研制 - ctuedutw.doc

非晶矽薄膜太陽能電池之研製 黃勝斌 江承翰 建國科技大學電機工程系暨研究所 sbhwa@ctu.edu.tw 摘要 本文主要研究目的是以電子迴旋共振化學氣相沈積系統(ECR-CVD)在銦錫氧化物(ITO)玻璃基板上沉積非晶矽薄膜太陽能電池。使用各種不同參數沉積的非晶矽薄膜，經由分析其光電特性，再製成非晶矽薄膜太陽能電池。在4%的SiH4濃度、基板温度為250℃和微波功率為250W時，本質層非晶矽薄膜的光學能隙約為1.87eV，暗電阻ρD大於1010(Ω-cm)且光/暗電導率之比值大於104。以AM1.5標準光源太陽能效率測量p-i-n結構非晶矽薄膜太陽能電池，探討p層摻雜以及i層厚度對開路電壓(Voc)、短路電流(Jsc)、填充係數(FF)以及能量轉換效率(η)之影響。實驗結果顯示，當p層以0.5%的B2H6摻雜，i層厚度300nm時，可得p-i-n非晶矽薄膜太陽能電池的Voc=0.84V、Jsc=10.17mA/cm2、FF=0.51、η=4.4%。 關鍵字：電子迴旋共振化學氣相沉積、非晶矽薄膜、太陽能電池 Abstract：The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) thin film solar cells are prepared on ITO glass substrate by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition system (ECR CVD). The optoelectronic characteristics of a-Si:H deposited by different conditions were analyzed for a-Si:H thin film solar cell. Energy gap of the intrinsic a-Si:H layer deposited with SiH4 and H2(the dilution SiH4/H2=4%) at substrate temperature T=250℃ and microwave power W=250W is about 1.87eV, and the dark resistivity ρD=1010(Ω-cm) and the photo/dark conductivityσPh/σD=104. The effects of dopant concentration of p-layer and thickness of i-layer on the a-Si:H solar cell open circuit voltage(Voc)、short-circuit current(Jsc)、fill factor(FF) and energy conversion efficiency(η) have been investigated. The optimized a-Si:H thin film solar cell using 0.5% B2H6 doping p-layer with i-layer thickness 300nm was found to have Voc=0.84V、Jsc=10.17mA/cm2、FF=0.51、η=4.41%. ; Solar cell ; ECR CVD 壹、(a-Si:H)[1]薄膜太陽電池最具未來發展性。由於薄膜太陽電池可以使用在價格低廉的玻璃、塑膠、陶瓷、石墨，金屬片等不同材料當基板來製造，形成可產生電壓的薄膜厚度僅需數μm，因此在同一受光面積之下可較矽晶圓太陽能電池大幅減少原料的用量，厚度可低於矽晶圓太陽能電池90%以上，目前轉換效率最高以可達13%[2]。薄膜電池太陽電池除了平面之外，也因為具有輕薄、低成本、可撓曲、多種外觀設計等優點，非晶矽的優點在於對於可見光譜的吸光能力很強，而且利用電漿式化學氣相沈積，在玻璃基板上成長厚度約一微米左右的非晶矽薄膜，即為薄膜太陽能電池，相較之下，材料成本便宜目前市場上絕大多數的薄膜太陽能電池都是用非晶矽作為主要材料，而未來在具有成本低廉的優勢之下，仍將是未來薄膜太陽能電池的主流之(ECRCVD)技術，製造高密度電漿來沉積非晶矽薄膜和非晶矽薄膜太陽能電池元件，研究微波功率對i-a-Si:H成長速率、光/暗電導比以及光學能隙的影響，並在製成非晶矽薄膜太陽能電池後，進行光電和效率特性的探討。貳、主要單元有之真空系統主要高真空腔體自動基板乘載系統之空腔 ，4%，壓力=10mTorr，Jsc)、填充係數(FF)以及能量轉換效率(η)之影響。 圖1. ECR-CVD系統 圖2. 基板清洗流程 參、SiH4產生自由基(Fr