晶体管设计.doc

目 录 1.课程设计目的与任务…………………………………………………………2 2.设计的内容……………………………………………………………………2 3.设计的要求与数据……………………………………………………………2 4.NPN管图形结构的选择………………………………………………………3 5.确定纵向结构参数……………………………………………………………3 （1）各区掺杂浓度及集电极外延材料电阻率的选取…………………… 3 （2）各区少子迁移率、扩散长度的计算………………………………… 4 （3）集电区厚度Wc的选择…………………………………………………6 （4）基区宽度的选取……………………………………………………… 7 （5）发射极和集电极结深的选取………………………………………… 8 6.横向尺寸的选择………………………………………………………………8 （1）单元发射极宽度、长度和个数的选取……………………………… 8 （2）发射区和基区面积的选取…………………………………………… 9 7.参数验证…………………………………………………………………… 10 8.工艺版图…………………………………………………………………… 11 9晶体管课设心得体会……………………………………………………… 12 NPN双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务 《电子器件课程设计》是继《微电子器件基础》、《微电子工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。要求我们根据（1）分析设计指标，确定主要参数；（2）选择合适工艺，确定工艺水平；（3）根据参数要求和工艺水平计算管芯纵、横向结构参数；（4）主要参数验算或器件、工艺模拟；（5）画出器件版图等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。 2、设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，hFE/IC=500/2mA，BVCBO=30V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=100mA，集电极耗散功率Pc=300mW。特征频率 fT=300MHz。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 3、设计的要求与数据 （1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2）根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB, 和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命 等。 根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc， 基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。 根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区的光刻版图。 在设计过程中，应该着力解决以下两对矛盾：一是高频率和大功率的矛盾，二是设计指标与加工难度的矛盾。 对于前者，在晶体管处于大注入工作状态时，会产生集电极电流集边效应、基区电导调制效应和基区宽变效应等，以上效应会对基区渡越时间τB进而对特征频率fT产生影响；对基区电阻rb、有效基区宽度Wb、集电极电容等等均会有所改变； 此外，设计指标中，为了使功率晶体管既能达到比较高的设计使用指标要求，同时又要考虑到加工难度不能过高，要符合目前的加工工艺水平，这就要求对各方面要求要综合考虑，找到最优方案。 4、NPN管图形结构的选择 NPN管的图形结构如下： 5、确定纵向结构参数 纵向结构参数主要是指结深、基区宽度、外延材料的电阻率和厚度以及各区中杂质浓度，下面分别进行估算。 （1）各区掺杂浓度及集电极外延材料电阻率的选取 击穿电压主要由集电区电阻率决定。因此，集电区电阻率的最小值由击穿电压决定，在满足击穿电压要求的前提下，尽量降低电阻率，并适当调整其他参量，以满足其他电学参数的要求。 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压V时，集电结可用突变结近似，对于Si器件击穿电压为 ， 由此可得集电区杂质浓度为： 由设计的要求可知C-B结的击穿电压为： BVCBO=30V 根据公式,可算出集电区杂质浓度： 一般的晶体管各区的浓度要满足NEN