南师附中物理竞赛讲义126物质的导电性t.doc

12.6物质的导电性 一、金属导电 1、电流强度的微观表达式 在加有电压的一段粗细均匀的导体AD上选取截面C，设导体的横截面积为S。导体每单位体积内的自由电子数为n，每个电子的电荷量为e，电荷的定向移动速率为v 在时间t内，处于相距为 vt 的两截面B、C间的所有自由电荷将通过截面C 。 在时间t内通过导体某截面的电量为: Q = (vtS) ne 形成的电流为： I = Q/t = neSv 二、液体导电 1、液体金属导电 与金属导电类似 2、溶液导电 法拉第电解定律三、气体导电1、一般情况下，气体不导电。 2、气体导电分自激放电和被激放电。 被激放电是指有其他物质作为电离剂促使空气电离。 自激放电是由于碰撞产生离子，离子在强电场中高速运动，将其它气体分子撞散，产生新的离子，从而发生类似核裂变的连锁反应。 自激放电包括： (1)辉光放电：空气稀薄，分子间距大，离子动能大，易碰撞产生新的离子。 (2)火花放电：由于电场非常大，离子动能大，易碰撞产生新的离子。 (3)弧光放电：由于温度高，离子动能大，易碰撞产生新的离子。 (4)电晕放电：原理与火花放电类似，也是电场很强。但火花放电是两个带电体之间的，而电晕放电是一个高电压导体表面进行放电，电流较小。 四、半导体 1 、半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。 纯净的半导体经常由硅晶体制成。 半导体通常具有热敏和光敏特性，即温度升高，电阻率减小，光线照射，电阻率减小 2、半导体的掺杂 掺入三价硼，缺少电子，形成空穴。（P型半导体） 掺入五价磷，多余自由电子。（N型半导体） 空穴和自由电子均可导电（载流子），增强了半导体的导电性。 3、二极管 一个半导体左右掺入不同杂质，一边为P型，另一边为N型。 在中间的结合部会形成“PN结”。 在中间，左右的空穴和自由电子进行复合，从而形成无载流子的“空间电荷区”。因此，可以看成中间变为绝缘体。在二极管两端加电场：(1)P连正极，N连负极。左边提供正电荷，右边提供负电荷，使空间电荷区变窄甚至消失。此时二极管处于导通状态(2)P连负极，N连正极。左边提供负电荷，右边提供正电荷，使空间电荷区变宽。此时二极管处于截止状态综上所述，二极管具有单向导通性。二极管的伏安特性曲线： *5、三极管 三极管具有电流放大的作用。 三极管分为PNP和NPN两种。本质相同，仅电流方向不同。 中间的叫基极b，很薄，掺杂浓度低。 一端叫发射极e，掺杂浓度很高。 另一端叫集电极c。 工作原理： 发射极提供大量载流子，很少一部分与基极的异种载流子复合，形成很小的基极电流ib，大部分进入集电极，形成较大电流ic。从而实现了电流放大的作用。 D导通时电阻为零，电源内阻不计，电动势分别为ε1＝20V，ε2＝60 V.电阻R1＝10kΩ，R2＝20kΩ，R＝5kΩ.试求通过二极管的电流强度. 图11- 33 【解析】原电路可化为下图所示电路，则由基尔霍夫定律可得: （1） （2） （3） 图11- 34 （1）式是O点的节点电流方程，（2）式是虚线框中的回路电压方程，（3）式是整个回路的电压方程.解得: 此即通过二极管的电流. 【总结】当电路中含有二极管时，可先将其去掉，若求得的通过二极管的电流与二极管方向一致，则可不考虑二极管的存在对电路的影响；否则，电流为0（即反向截止）.另外，本题也可求虚线框部分的等势电压源的方法求解，过程如下： 根据等效电压源定理，a、b两点间电压为: a、b两端的总电阻力: (a) (b) 图11- 35 由此，图11- 35(a)可等效为图11- 35(b)，二极管导通，流过二极管的电流为: . 在如图11- 36(a)所示电路中，两电容器电容C1=C2=C.两个二极管D1、D2皆为理想二极管（正向电阻为零，反向电阻无穷大），当电源输入电压如图11- 36(b)所示的稳定方波时，试分别画出达到稳定状态后L点的电势UL和M点的电势UM随时间的变化图像. (a) (b) 图11- 36 【解析】二极管正向导通时，电阻为零，类似于短路，电容器可被充、放电.而当加反向电压时，反向电阻为无穷大，可以认为断路，则电容器不能充、放电. 当电源a为正时，D1导通，D2处于截止,C1被充电，上极带正电，下极板带负电，两极电压U1=V0此时L点电势为零.当a为负时,D2导通，D1截止,C1与电源串联给C2充电，使C2下板带正电,上板带负电.当a再为正时，电源又给C1充电对充至电压V0，然后C1与电源再串联给C2充电……如此反复，至稳定时,C1电压V0