第五章 12.温度显示实验.ppt

12、温度显示实验;单线总线特点 单总线即只有一根数据线，系统中的数据交换，控制都由这根线完成。 单总线通常要求外接一个约为 4.7K—10K 的上拉电阻，这样，当总线闲置时其状态为高电平。 ;原理图解析;DS18B20单总线的工作方式;初始化时序图;/***************************************************************************** * 函数名 : Ds18b20Init * 函数功能 : 初始化 * 输入 : 无 * 输出 : 初始化成功返回1，失败返回0 *****************************************************************************/ unsigned char Ds18b20Init() { unsigned int i; DSIO=0; //将总线拉低480us~960us i=70; while(i--);//延时642us DSIO=1;//然后拉高总线，若DS18B20做出反应会将在15us~60us后将总线拉低 i=0; while(DSIO) //等待DS18B20拉低总线 { i++; if(i50000)//等待50MS return 0;//初始化失败 } return 1;//初始化成功 } ;主机发出各种操作命令都是向DS18B20写0和写1组成的命令字节，接收数据时也是从DS18B20读取0或1的过程。因此首先要搞清主机是如何进行写0、写1、读0和读1的。 写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0，则将总线置为低电平，若主机想写1，则将总线置为高电平，持续时间最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平至少1微秒给总线恢复 。而DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。;读操作时序图;/******************************************************************************* * 函数名 : Ds18b20WriteByte * 函数功能 : 向18B20写入一个字节 * 输入 : com * 输出 : 无 *******************************************************************************/ void Ds18b20WriteByte(unsigned char dat) { unsigned int i,j; for(j=0;j8;j++) { DSIO=0; //每写入一位数据之前先把总线拉低1us i++; DSIO=dat0x01; //然后写入一个数据，从最低位开始 i=6; while(i--); //延时68us，持续时间最少60us DSIO=1; //然后释放总线，至少1us给总线恢复时间才能接着写入第二个数值 dat=1; } };对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。 读周期是从主机把单总线拉低1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。作为从机DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60微秒才能完成;写操作时序图;/******************************************************************************* * 函数名 : Ds18b20ReadByte * 函数功能 : 读取一个字节 * 输入 : com * 输出 : 无 *******************************************************************************/ unsigned char Ds18b20R