中北大学《厚薄膜电路》考试重点.docx

引言一.微电子材料分类：1导体：金属具有正的电阻率温度系数，即导体温度增加时它的电阻率也增加，或者它的倒数电阻率减小。2绝缘体：用途有基片，将电阻电容及金属导体做在它的上面；衬底，在其内部产生半导体电阻和导体区域；钝化层，保护有源电路免受湿气和其他苛刻环境的损坏。绝缘体受离子污染，吸附潮气，或暴露于热和辐射下时使绝缘性能很快下降。它具有负的TCR。3半导体：材料的实际意义在于向它们的晶体结构中掺入少量的杂质原子来改变他们的电阻率。它具有负的TCR。使用V族元素(磷砷锑)，有多余电子为N型半导体；使用Ⅲ族元素（硼），空穴流为P型半导体。二.电子学工艺分类：1制造工艺（有关制作片状器件，集成电路芯片或互连基片的工艺。包含化学反应）2组装工艺（组装工艺多数只涉及贴装，互连，和封装制造器件的物理和物理加热步骤。）三.混合电路是一种将各种功能的片式器件在预先做好导体图案或导体与电阻组合图案的绝缘基片上进行电气互连的电路。四.混合集成电路分为薄膜和厚膜，意思是指膜的厚度，是指基片上淀积导体和电阻所用的工艺方法。基片一.混合电路基片功能：1装配器件的机械支撑2电气互连图案和批量制造膜电阻的基底3器件散热的媒质。基片还需满足：1高的绝缘电阻2低孔性和高纯度3高热导率4低热膨胀系数5高的热稳定性6高的表面光洁度7高的抗化学性。二.表面特性：1光洁度：与横贯表面上峰点和谷点中心线的平均偏差，单位uin2翘度：是基片或与完美的平面总偏差3颗粒的粒度（影响光洁度）：颗粒的尺寸和每单位面积内颗粒的数量，可以影响陶瓷表面的光洁度和气相淀积的金属化薄膜的附着力，（过烧会产生大的颗粒结构和粗糙的陶瓷表面），避免氧化钠和氧化钾，必要氧化镁和氧化硅。薄膜电路和厚膜电路广泛使用的基片是氧化铝陶瓷。三.氧化铝基片：从用于厚膜电路的（表面相当粗糙），到用于制造具有极高分辨率精密的的薄膜电路的表面经过抛光（CLA为1uin或更低）的特别光滑的基片。光洁度居中（4-6uinCLA）的基片用于更典型的薄膜混合电路应用场合。氧化铍基片：一种独特种类的将高的绝缘电阻和高的热导率集于一身的电子材料。氮化铝基片：高的热导率和优良电气机械性能组合，其低的热膨胀系数与硅的热膨胀系数密切匹配。四.生产氧化铝及其他陶瓷基片有两种方法：1干压法2流延法薄膜工艺一.淀积工艺：1蒸发淀积2直流DC溅射3射频RF溅射4反应溅射二.蒸发和溅射工艺的比较：1溅射膜比蒸发淀积膜对基片有更强的附着力2溅射膜更致密更均匀3溅射工艺更通用4导体或非导体膜都可以淀积5此工艺也可以逆向模式使用，用于清洁基片表面或刻蚀细线6淀积的速率，膜的厚度和膜的均匀性能更好的控制。三.薄膜电阻考虑因素：1在实际的厚度范围，具有可控制的及能重复得到的面电阻率2低的TCR3紧密的阻值跟踪4长期的稳定性四.薄膜混合电路广泛使用的材料有三种：钵，铬，氮化钽和铬硅氧化物金属陶瓷。全部使用有阻挡层金属的金端头导体。阻挡层金属用于将电阻和金导体分开，以防止相互扩散。五.金焊接焊盘被铬沾污使线焊键合困难。镍镉除了起电阻器元件的功能外，为改善金对基片的附着力，镍镉还作为附着层，即所谓的“捆绑层”。六.镍镉电阻器的特性：25-300的面电阻率和低的TCR(0±50)PPm/C，然而，金属陶瓷电阻器具有提供扩展的面电阻率的能力从1000到几千欧。是一种十分精密的热稳定性好的电阻器，但他们最易受化学和电解腐蚀的影响。七.薄膜电阻器的特性高度地取决与在其上进行淀积的基片的表面特性，基片表面越光滑，电阻值越稳定。然而，许多其他因素对电阻的稳定性也有贡献，主要有退火，稳定性烘烤，调阻条件。八.氮化钽工艺：在氮化钽和金之间，分别用钛和钯作为捆绑层和阻挡层；对镍镉电阻用镍作阻挡层。氮化钽电阻器的性能：氮化钽电阻器比镍镉电阻器更稳定，抗化学腐蚀和抗热性更好。九.陶瓷金属膜采用瞬间蒸发或溅射法淀积是最好的。在同一工艺顺序中，首先形成SiOCr，钯和金的”夹心”结构。十.光刻材料和工艺：光刻胶是由溶解在一种或多种有机溶剂中的光敏聚合物或初始聚合物构成的有机合成物。正型胶能在曝光时分解，断裂并可被溶解；负型胶能在曝光时进一步聚合或交叉链接形成加固的能抵抗刻蚀溶液的覆盖物。十一.光刻步骤1加光刻胶到基片上2前烘烤3对准和曝光4显影5后烘烤6去掉膜或剥掉膜十二.薄膜的刻蚀方法：1湿法2干法十三.等离子和干法刻蚀好：1可以避免使用高度腐蚀性和有危险性的化学材料2可避免与化学溶液有关的处理和安全问题3避免表面被化学和离子污染4刻蚀速率能更好控制，能提供更细的导线，电阻图形和互连通孔的分辨率5刻蚀是各向异性的，避免了钻蚀。第四章 厚膜工艺一.厚膜电路工艺：1丝网印刷2干燥3烧成丝网的目数是每英寸长的丝网布中的开口孔数（丝网印刷：将粘性的浆料在漏印丝网上用力推动使其通过网孔将图形