第1章半导体基础与常用器件汇总.ppt

1.三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？ 你会做吗？ 2.使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？ 3.用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？ UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7V，UCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V； UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V； UBE＝0V，UCE＝－4V。 NPN硅管，饱和区 NPN硅管，放大区 NPN硅管，截止区 PNP锗管，放大区 PNP锗管，截止区 1.5 单极型三极管 双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的 电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之 为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流 子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用 输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。 上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管可分为结型和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其 中又分增强型和耗尽型两类，且各有N沟道和P沟道之分。 1、MOS管的基本结构 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 二氧化硅(SiO2)绝缘保护层 两端扩散出两个高浓度的N区 N区与P型衬底之间形成两个PN结 由衬底引出电极B 由高浓度的N区引出的源极S 由另一高浓度N区引出的漏极D 由二氧化硅层表面直接引出栅极G 杂质浓度较低，电阻率较高。 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起 铝电极、金属 （Metal） 二氧化硅氧化物 （Oxide） 半导体 （Semiconductor) 故单极型三极管又称为MOS管。 MOS管电路的连接形式 N+ N+ P型硅衬底 B D G S + － UDS + － UGS 漏极与源极间 电源UDS 栅极与源极间 电源UGS 如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子 导电沟道形成时，对应的栅源间电压UGS=UT称为开启电压。 UT + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S 当UGSUT、UDS≠0且较小时 UDS UGS ID 当UGS继续增大，UDS仍然很小且不变时，ID随着UGS的增大而增大。 此时增大UDS，导电沟道出现梯度，ID又将随着UDS的增大而增大。 直到UGD=UGS－UDS=UT时，相当于UDS增加使漏极沟道缩减到导电沟道刚刚开启的情况，称为预夹断，ID基本饱和。 导电沟道加厚 产生漏极电流 ID + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS UGS 如果继续增大UDS，使UGDUT时，沟道夹断区延长，ID达到最大且恒定，管子将从放大区跳出而进入饱和区。 UGD 沟道出现预夹断时工作在放大状态，放大区ID几乎与UDS的变化无关，只受UGS的控制。即MOS管是利用栅源电压UGS来控制漏极电流ID大小的一种电压控制器件。 MOS管的工作过程可参看下面动画演示： 3. MOS管使用注意事项 (1) MOS管中