半导体管的开关特性分立元件门电路.pptVIP

------分立元件门电路 ------COMS集成门电路 ------TTL集成门电路 作业 P135 题2.2 题2.3 做书上！ 对照输入波形画出各输出波形 第2章 门电路 2.0 概述 2.1 半导体二极管、三极管 和MOS管 的开关特性 2.2 分立元件门电路 一、门电路的概念 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路 与 或 非 与 非 或 非 异或 与或非 2.0 概述 与 门 或 门 非 门 与 非 门 或 非 门 异或门 与或非门 二、逻辑变量与两状态开关 逻辑代数是分析数字电路重要的数学工具。数字电路中的逻辑均为二值逻辑。 在二值逻辑逻辑中，所有逻辑变量只有两种取值(1 或 0)。 在数字电路中，与二值逻辑对应的是电子开关的两种状态。 逻辑代数中的二值量与数字电路的结合点，就是具有两种状态的电子开关。 二极管、三极管、 MOS 管是构成电子开关电路的基本元件。 三、高、低电平与正、负逻辑 负逻辑 正逻辑 0V 5V 2.4V 0.8V 0 1 0V 5V 2.4V 0.8V 1 0 电位指绝对电压的大小；电平指一定的电压范围。 高电平和低电平：相对表示两段不同的电压范围。 高电平 低电平 3V 逻辑状态 低电平 断开 高电平 3 V 1 0 高电平 闭合 低电平 0 V 0 1 3V 通过开关 S 的两种状态(开或关) 获得高、低电平信号。 S 可由二极管、三极管或 MOS 管实现 ------------电子开关（开关管） 四、分立元件门电路和集成门电路 ① 分立元件门电路： 用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路。 ② 集成门电路： 把构成门电路的元器件和连线，都制作在一块半 导体芯片上，再封装起来。 常用：CMOS 和 TTL 集成门电路 五、数字集成电路的集成度 一块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数 小规模集成电路 SSI (Small Scale Integration) 10 门/片 或 100 元器件/片 中规模集成电路 MSI (Medium Scale Integration) 10 ~ 99 门/片 或 100 ~ 999 元器件/片 大规模集成电路 LSI (Large Scale Integration) 100 ~ 9999 门/片 或 1000 ~ 99999 元器件/片 超大规模集成电路 VLSI (Very Large Scale Integration) 10000 门/片 或 100000 元器件/片 一、 理想开关的开关特性 1、 静态特性 ① 断开 ② 闭合 S A K 2. 1 半导体二极管 、三极管 和 MOS 管的开关特性 2、动态特性 ① 开通时间： 闭合） （断开 ② 关断时间： 断开） （闭合 普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好 几百万次/秒 几千万次/秒 二、 半导体二极管的开关特性 1、静态特性 ① 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) ② 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) A K - + 阴极 A 阳极 K PN结 P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - （1）结构示意图、符号和伏安特性 - + 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 硅二极管伏安特性 0.5 0.7 /mA /V 0 uA 死区 D + - + - （2） 二极管的开关作用： [例] uO = 0 V uO = 2.3 V 电路如图所示 试判别二极管的工作 状态及输出电压。 二极管截止 二极管导通 [解] D 0.7 V + - 综上：UD0.7V时二极管导通,相当于一个具有0.7V的闭合了的开关； UD0.5V时二极管截止,则相当于一个断开了的开关。 2、动态特性 （1）二极管的电容效应 结电容 Cj： 扩散电容 CD： PN 结中的电荷量会随外加电压的大小而 改变，具有电容效应，称之为结电容。 PN 结外加正向电压时，多数载流子的扩散运动加强。但P区的空穴和N区的电子越过PN结后，并不是立即完全复合掉，而是在PN结两边形成了一定浓度梯度分布的电荷积累。而且电荷量也随外加电压的大小而改变。 当外加电压增加时，多子的扩散运动增强，通过二极