LVS_command_file介绍.docxVIP

在LVS command file有错误或者需要自行构造一个器件时，我们要对它做适当的修改和添加。本文档首先会以一个例子来说明LVS command file的结构，然后再举一个构造器件的例子。 LVS command file的结构 我们以“st3400”工艺的LVS command file为例（红色为command file执行语句，语句总体上由上至下的循序进行说明，说明文字为黑色字体，有些部分只作节选，为说明问题某些部分并不完全按语句上下循序，而是为了直观，拿到了一起） #DEFINE metal2_process //#DEFINE metal3_process // CSMC 0.50um BCD ST3400 // CALIBRE(r) version 2006.4 LVS file // ;;#################################################################### // ;; (@) CSMC CALIBRE LVS COMMAND FILE // ; 0.5um 5V VGS / 25V VDS DPTM BCDMOS Process Design Rule(version #9E10) // ;; (@)# METAL LAYER PROCESS: THICK TOP METAL( DPDM ) // ;; NON-THICK TOP METAL( DPSM/DPDM/DPTM ) // ;; (@)# DATE: 2010/01/21 wul // ;;#################################################################### 首先，如上边红色语句中“//”为注释符，意味着在它之后的语句将不被执行。 最开头的“#DEFINE metal2_process”、“#DEFINE metal3_process”表示定义了“metal2_process”和“metal3_process”两个名词。如果配合后边会出现的“#IFDEF----#ENDIF”语句则构成了一个option，即通过“注释”和“非注释”可以选择开启后边的“#IFDEF----#ENDIF”语句。很显然我们现在开启的的是“metal2_process”。对于“#IFDEF----#ENDIF”语句我们在后边会讲到。 在接下来一大段的被注释掉语句中，我们可以看到上华特意将这一command file所适用工艺、版本号等信息列了出来。 //Name Description Device Layer Operation // // -------- --------------------------------- -------------------------- ---- -- // // // // MOS Type: // // // // M(MN) 5v normal NMOS SN*TO*PC // // M(MP) 5v normal PMOS SP*TO*PC*TB // // M(BN) 5v isolation NMOS SN*TO*PC*BN // // LDD(HA) 40v/5v LDNMOSFET TO*GT*NM*NG*DP*PB // // RESISTOR Type // // // // R(RW) Nwell Resistor TB*RES_NW_mark // // R(RN) N+ Resistor SN*TO*RES_ma