浸没式ArF光刻中像差对特征尺寸的影响论文.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 浸没式ArF光刻中像差对特征尺寸的影响 张飞“李艳秋’ (1．中国科学院电工研究所北京100080 2．中国科学院研究生院北京]o0080) 摘要：随着集成电路(Ic)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入．像差对特征 图形尺寸的影响规律需要进一步研究。在65nm分辨率节点处，分别采用传统和环形两种照明方式，讨 论程没式ArF光刻中杂散光、运动标准偏差(MSD)和光线偏振等因素作用下，像差对特征图形尺寸的 影响。分析结果表明：杂散光、MSD和光线偏振等因素对像差引起线宽变化的影响明显，当杂散光量和 MSD值增加或偏振方向和特征图形线条方向不平行时，像差引起线宽变化量增加。根据分析结果讨论 了利用偏振光的特性降低像差对特征图形尺寸的影响程度的可行性。 关键词：像差，杂散光，MSD，偏振，浸没式，ArF光刻，PROLITH 引言 集成电路(Ic)技术的发展要求获得越来越小的特征图形尺寸。为了获得更小的特征图形尺寸，可 以通过增大物镜数