第16讲第5章存储器原理与接口技术.ppt

* * * 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.1 ROM存储信息的原理和组成 ROM存储位 T1和电子开关S构成一个存储位。 X选择线端加上选中信号＋S断开→D＝“1” X选择线端加上选中信号＋S闭合→D＝“0” ROM的组成 16×1位ROM结构 信息“1” 信息“0” 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.2 掩模式ROM——MROM MROM是厂家根据用户事先编写好的机器码程序，把0、1信息存储在掩模图形中而制成的芯片。芯片制成后，存储位的状态即0、1信息就被固定了。 第5章 存储器原理及接口技术 * 掩膜ROM 特点： (1) 器件制造厂在制造时编制程序,用户不能修改。 (2) 用于产品批量生产。 (3) 可由二极管和三极管电路组成。 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.3 可编程ROM——PROM PROM一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件 。 存储原理： （1）二极管破坏型PROM PROM存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN结，字线与位线之间不导通（即所有存储内容均为“1”）。如果用户需要写入程序，则通过专门的PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。 （2）熔丝式PROM 用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。 PROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了！ 一次性！！！ 第5章 存储器原理及接口技术 * 特点： (1) 出厂时里面没有信息。 (2) 用户根据自己需要对其进行设置(编程)。 (3) 只能使用一次，一旦进行了编程不能擦除其内信息。 PROM 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.4 可擦除可编程ROM——EPROM 基本存储单元 ·初始态：每个单元的浮动栅极上都没有电荷，源极与漏极之间不导电，此时表示该存储单元保存的信息为“1”。 ·写入信息“0”：在漏极和源极（即S）之间加上十25v的电压，同时加上编程脉冲信号(50ns)，漏极与源极间被瞬时击穿，电子注入到浮动栅。在高压电源去除之后，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，即将0写入该单元。 ·清除信息：用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉，即原来存储的信息也就不存在了。 （2716、2732停产）、2764、27128、27256等。 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.4 可擦除可编程ROM——EPROM 典型EPROM 芯片Intel 2716 (2KX8) （1）外部结构 ? Al0~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的2K个存储单元； ? O7~O0： 双向数据信号输入输出引脚； ? ：片选信号输入引脚，低电平有效，只有当该引脚转入低电平时，才能对相应的芯片进行操作； ? ：数据输出允许控制信号引脚，输入，低电平有效，用以允许数据输出； ? Vcc：+5v电源，用于在线的读操作； ? VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作； ? GND：地。 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.4 可擦除可编程ROM——EPROM 典型EPROM 芯片Intel 2716 （2）内部结构 ? 存储阵列；Intel2716存储器芯片的存储阵列由2K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存2K×8位二进制信息； ? X译码器：又称为行译码器，可对7位行地址进行译码； ? Y译码器：又称为列译码器，可对4位列地址进行译码； ? 输出允许、片选和编程逻辑：实现片选及控制信息的读/写； ? 数据输出缓冲器：实现对输出数据的缓冲。 第5章 存储器原理及接口技术