TMS320C5509ADSP分页烧写FLASH存储器和自举引导的实现方法.pdfVIP

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2017-07-04 发布于福建
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TMS320C5509ADSP分页烧写FLASH存储器和自举引导的实现方法.pdf

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TMS320C5509A DSP 分页烧写 FLASH 存储器及自举引导的实现方法 TI 公司的 DSP 芯片 TMS320C5509A （简称5509A ）是性能卓越的低功耗定点 DSP ，在嵌入式系统中有着广泛的应用。5509A 没有自带的片上非易失性存储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如 EPROM 或 Flash ，来存储程序和数据。5509A 片内有 256K 字节的 RAM 。由于在片内RAM 运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点，通常上电后都需要从片外 EPROM 或 Flash 上加载程序到片内 RAM ，但是芯片自带的自举程序（简称 Bootloader ）只支持 16K 字节以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于 16K 字节空间内，限制了编程的灵活性，不能充分发挥性能，当程序空间大于 16K 字节时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用 5509A 对 Am29LV800B Flash （简称Flash ）存储器进行程序分页烧写的方法，然后介绍利用 Bootloader 来编程实现多页并行自举引导的方法。一、分页烧写的实现 1、Am29LV800B Flash 的连接 Flash 与 5509A 的接口很方便，前者只需作为后者的外部数据存储器与其进行连接，而中间的逻辑电路采用 CPLD 实现即可。Flash 内部可以产生高电压进行编程和擦除操作；只需向其命令存储器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现。文中采用 1Mbytes Flash 映射为 5509A 的片外数据存储空间，地址为：0x200000～0x280000，数据总线 16 位，用于 16 位方式的并行引导装载。1MBytes 的 Flash 被分为 64 页进行访问（表 1）。本文通过向 0x20600 地址写数据来改变 A18——A13 的值，从而控制 Flash 的换页引脚对各个分页进行访问。地址线扇区扇区大小(KBytes) 页码 A18 A17 A16 A15 A14 A13 SA0 0-3 0 0 0 0 X X 64 SA1 4-7 0 0 0 1 X X 64 SA2 8-11 0 0 1 0 X X 64 SA3 12-15 0 0 1 1 X X 64 SA4 16-19 0 1 0 0 X X 64 SA5 20-23 0 1 0 1 X X 64 SA6 24-27 0 1 1 0 X X 64 SA7 28-31 0 1 1 1 X X 64 SA8 32-35 1 0 0