第三讲 模拟集成电路.pptVIP

制作：路勇 第三章 场效应管及基本放大电路 MOS场效应管 结型场效应管 场效应管的主要参数和微变等效电路 场效应管基本放大电路 第一节 MOS场效应极管 场效应管：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。 由于BS短接,G与衬底B间产生电场，电子被正极板吸引,空穴被排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中的少子——电子，将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍不能形成漏极电流ID。 且UGS固定为某一很小值时： UDS与漏极电流ID之间呈线性关系。 UGS＜0时； 随着UGS的减小漏极电流逐渐减小， 直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断 电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。 P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同。 区别是导电的载流子不同，供电电压极性不同。 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道不同，以及增强型还是耗尽型,可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。 如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。 有关曲线绘于下图之中。 第二节 结型场效应三极管 JFET的结构与MOSFET相似， 工作机理也相同。如图: 在N型半导体硅片的两侧各制造一个