薄膜气相淀积工艺素材.pptVIP

* * * Vacuum chamber Evaporation Material Substrate Heater Cloud Sputtering Material Substrate Plasma * PVD技术的两种基本工艺 蒸镀法（蒸发）：在真空的环境中，用电阻加热或电子束和激光轰击等方法把要蒸发的材料加热到一定温度，使材料中分子或原子的热振动能量超过表面的束缚能，从而使大量分子或原子蒸发或升华，并直接沉淀在基片上形成薄膜。 溅镀法（溅射）：利用气体放电产生的正离子在电场作用下的高速运动轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子或分子逸出来而沉淀到被镀材料的表面，形成所需要的薄膜。 此技术一般使用氩等惰性气体，由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。　 * 1 蒸 发 在半导体制造的早期，所有金属层都是通过蒸发PVD方法淀积的。为了获得更好的台阶覆盖、间隙填充和溅射速度，在70年代后期，在大多数硅片制造技术领域溅射已取代蒸发。 * * 常用的几种加热器形状 丝状 舟状 坩埚 * * 蒸发加热的主要方法： (1)电阻加热（铝,金,铬) (2)电子束加热（3000℃, 难熔金属) (3) 激光加热 真空蒸发镀膜最常用的是电阻加热法，以电阻（灯丝、蒸发器）通过发热的原理来加热蒸镀原料，最高蒸发温度达1700℃ 其优点是加热源的结构简单，造价低廉，操作方便；缺点是不适用于难熔金属和耐高温的介质材料。 * 电子束加热和激光加热则能克服电阻加热的缺点。 电子束加热：利用加速电子碰撞蒸发材料而使其蒸发。蒸发源配有电子腔，利用磁场或电场加速并聚焦电子束，使电子束聚集在蒸发材料的局部而形成加热束斑，束斑温度可达3000～6000℃。电子束的动能变成热能，使材料蒸发。 激光加热是利用大功率的激光作为加热源，但由于大功率激光器的造价很高，目前只能在少数研究性实验室中使用。 * 溅射已成为IC制造中金属淀积的主流工艺 溅射工艺相对于蒸发工艺的优势在于： 1.台阶覆盖性得到改善 2.辐射缺陷远小于电子束蒸发 3.容易制备难熔金属、合金材料和复合材料薄膜 2 溅 射 * 溅射工作原理 溅射（sputtering）又叫阴极溅射（cathodic sputtering）。通过用由稀有气体在低真空下放电获得的正离子轰击置于阴极的固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出，进而以一定能量淀积在基片上，形成薄膜 * * 基本溅射步骤 在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速； 在加速过程中获得动量，并轰击靶； 离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分； 被撞击出（溅射）的原子迁移到硅片表面（阳极）； 被溅射的原子在硅片表面凝聚形成薄膜，与靶材料相比，薄膜具有与它基本相同的材料组分； 额外材料由真空泵抽走。 * 简单归纳为4个 1.产生氩气离子并导向一个靶，（铝靶材）。 2.离子把靶表面的原子轰击出来。 3.被轰出的原子向硅片运动。 4.原子在表面上成膜。 * 溅射镀膜的基本原理 用高能粒子（经电场加速的正离子）冲击作为阴极的固态靶，靶原子与这些高能粒子交换能量后从表面飞出，淀积在作为阳极的硅片上，形成薄膜。 直流二极溅射台 高频溅射台 * * 溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极。 当氩离子能量低于5电子伏时,仅对靶极最外表层产生作用，主要使靶极表面原子吸附的杂质脱附。 当氩离子能量达到靶极原子的结合能（约为靶极材料的升华热）时，引起靶极表面的原子迁移，产生表面损伤。 轰击粒子的能量超过靶极材料升华热的四倍时，原子被推出晶格位置成为汽相逸出而产生溅射。对于大多数金属，溅射阈能约为10～25电子伏。 物理现象 * 溅射在集成电路中的应用： 溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜淀积两个方面 溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受氩离子的轰击进行刻蚀。 溅射刻蚀时，应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。 * 淀积薄膜时，溅射源置于靶极，受氩离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。 通常，制取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接进行溅射而得。在溅射中，溅出的原子是与具有数千电子伏的高能离子交换能量后飞溅出来的，其能量较高，往往比蒸发原子高出1