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- 2017-07-05 发布于湖北
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单位基础常识 微米 1um=10-6 m(米) 纳米 1nm=10-9 m(米) 埃米 1? =10-10 m(米) 赫兹1Hz=1/T (T为周期,T的单位为秒) 兆瓦 1MW=1000KW=106W 真空单位 1Torr=1000mtorr=133Pa 1bar=1000mbar≈1atm=1.03*105 Pa 1mtorr=0.133Pa 1hpa=100Pa=1mbar 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * LOGO 太阳能电池原理及发展现状 目 录 太阳能电池 基本原理 主要面临问题 发展现状 太阳能电池 化石能源日渐枯竭,人类对能源需求不断上升,温室效应加剧……促使人类寻找化石燃料之外的新型绿色能源。 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。 硅太阳能电池工作原理 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生内光电效应,将光能转换为电能。根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:硅基太阳能电池和薄膜电池。 太阳能电池发电的原理主要是半导体的内光电效应,一般的半导体主要结构如下: 硅太阳能电池工作原理 图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子 周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子 而中和,形成P型半导体。 掺入杂质, 如硼、磷等 PN结的形成及工作原理 零偏 负偏 正偏 当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外加电场作用下变窄,势垒削弱。当光电池用作光电转换器时,必须处于零偏或反偏状态。 当P型和N型半导体材料结合时,P 型( N型)材料中的空穴(电子)向N 型( P 型)材料这边扩散,扩散的结果使得结合区形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN结两侧形成一个耗尽区。 当光照射到半导体上时,光子将能量提供给电子,电子将跃迁到更高的能态,在这些电子中,作为实际使用的光电器件里可利用的电子有: ? (1)价带电子; (2)自由电子或空穴; (3)存在于杂质能级上的电子。 太阳电池可利用的电子主要是价带电子。由价带电子得到光的能量跃迁到导带的过程决定的光的吸收称为本征或固有吸收。 基本原理 基本原理 由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非常大,损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图 梳状电极),以增加入射光的面积。 制约光电池转换效率的因素 光学损失 电学损失 串并联电阻损失 反射损失 短波损失 透射损失 光生空穴—电子对 在各区的复合 表面复合 (前表面和背表面) 材料复合: 复合中心复合 主要面临问题 在硅太阳能电池的制造历史中已经采用过许多措施来提高太阳能电池的光电转换效率,并且随着能源的不断消耗,高效太阳能的研究正热火朝天地进行。主要针对: 1.降低光电子的表面复合,如降低表面态等; 2.降低入射光的表面反射,用多种太阳光减反射技术,如沉积 减反层、硅片表面织构技术、局部背表面场技术,最大限度 地减少太阳光在硅表面的反射; 3.电极低接触电阻和集成受光技术,如激光刻槽埋栅技术和表 面浓度扩散技术,使电极接触电阻低和增加硅表面受光面积 4.降低P-N结的结深和漏电; 5.采用高效廉价光电转换材料; 发展现状 单晶硅太阳能电池(主要) 单晶硅太阳能电池转换效率达15% 左右,其制造工艺成熟,生产过程耗能高, 生产成本高。 多晶硅太阳能电池 使制造成本大大降低, 电池的转换效率达到16%左
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