硒化铟（In2Se3）纳米线的合成及相变机理和光敏性能研究中文摘要I.PDF

硒化铟（In2Se3）纳米线的合成及相变机理和光敏性能研究 中文摘要 I 硒化铟（In2Se3）纳米线的合成及相变机理和光敏性能研究 中文摘要 中文摘要 一维相变纳米材料为在纳米尺度研究相变过程和材料热性能提供了一个良好 的科学平台，同时也是下一代高存储密度相变存储器的关键材料。一维相变纳米 线在相变存储器上的应用正在被广泛的研究，In Se 纳米线作为一种重要的非易失 2 3 5 性存储材料，它有着很高的电阻率，10 的电阻转变率，在数据存储上，可以有比 GeTe 和 Ge Sb Te 纳米线更低的能耗，此外它有用作在太阳能电池，光传感器和 2 2 5 锂离子电池方面的巨大潜力。 文中描述了通过热气相沉积法制备α- 和 κ- In Se 纳米线的合成过程，并通过 2 3 原位同步辐射XRD研究了In Se 纳米线在热退火过程中的晶体结构变化。数据结果 2 3 显示κ- In Se 纳米线在500℃转变为α相，在更高的温度700℃下转变为5-5层状的高 2 3 温α相，并且这种转变在温度降低时是不可逆的。并基于密度泛函理论，利用 Materials Studio软件，模拟了不同原子堆积的In Se 模型结构及衍射数据，其结果 2 3 与同步辐射衍射数据结果一致。此外，研究还发现，退火前后的纳米线的电阻率 变化很大。本文还研究了In Se 纳米线的光敏特性，发现In Se 纳米线对不同强度 2 3 2 3 的光和波长都有识别能力，而这种识别能力和温度，测量电压存在一定的关系。 关键词：In Se ，纳米线，相变，原位XRD ，同步辐射，密度泛函，光敏 2 3 作 者：李 洋 指导老师：孙旭辉 教授 I Synthesis, Phase transformation and Photo-sensitivity of In2Se3 nanowires Abstract Synthesis, Phase transformation and Photo-sensitivity of In Se nanowires 2 3 Abstract Low-dimensional phase-change nanostructures provide a valuable scientific research platform for understanding the phase-transition behavior and material thermal properties at nanoscal