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穿透式电子显微镜之结构及其成像原理
穿透式電子顯微鏡之結構
及其成像原理
• 穿透式電子顯微鏡之結構
• 像差
• 鑑別率
• 成像與對比
• 選區繞射
• 視野深度及聚焦深度
• 電子顯微鏡的校準
穿透式電子顯微鏡之結構
。
1. 照明系統
2. 成像電磁透鏡系統
3. 試片室
4. 影像訊號偵測記錄系統
照明系統
* 電子槍:發射電子束之電子源。
(1)鎢絲 。
(2)LaB6 絲 。以上兩種電子源皆由熱游離發射(thermionic
emission)原理產生電子;
(3)場發射槍 ((field emission gun ,FEG),由強電場將電子
吸出,即由電場發射原理產生電子。
*聚光鏡 : 主要功能在產生一散度小、亮度高、尺寸小之電子束。
(1)單聚光鏡
(2)双聚光鏡
• 熱游離發射(Thermionic emission)
Richardson,s law
E
W
−
J AT 2 e kT
e
2 2
通常鎢絲的電流 A~60 A/(cm K ) ,Ew = 4.5eV ,一般操作溫度大約為
2700K 。J e可由 Richardson 公式算出 , 約為 1.75 A/cm 2 ,其壽命在
10-5 torr的真空下平均約 40 一80 小時。
通常 LaB6電子源之 A~40A/(cm2 K2 ) ,Ew =2.4 eV ,一般操作時在尖端的
溫度為 1700 至 2100 K 。J 2 2 2
可達 10 A/cm 。 如在J ~10A/cm 時使用
e e
壽命可超過 10,000 小時。
• 鎢絲
• LaB6
• 場發射槍
可產生 小於10 nm的電子聚焦點 ;
6
發射電流密度可以 高達 10 A/cm
2 ,必須在10-10 torr的真空下操
作。
照明系統
• 三種電子的亮度(Brightness, B) 比
B :B :B
鎢絲 LaB6 場發射槍
= 1 : 10 : 103
• 偏壓差 vs. 發射電流、亮度
*負偏壓有抑制發射電流與聚焦
之雙重作用。
• 電子束 vs.燈絲電流
• 亮度:
2
j r dF
B
∆ϖ dSdA
j
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