第十二章光电探测器.PDF

第十二章 光电探测器 授课老师 明海 PPT制作时间 06年4月 联系方式：minghai@ustc.edu.cn 0551-3603504 引言 光电探测器的性能参数 光电探测器的噪声 半导体光电探测器 光电导探测器 光伏探测器 光电池 光电二极管 光电三级管 半导体器件的选择 CCD探测器 引言 光电子系统中，因为光波具有容量大、速度快、保密 性好和抗干扰能力强等优点，常用光波调制使光载波 携带信息。对于光辐射的探测也显得尤为重要。探测 器把光辐射的能量变成其它能量形式（如电、热等） 的信息，再通过对这些信息的测量，实现对光辐射的 探测。 从近代测量技术来看，电量测量不仅是最方便，而且 是最精确的，所以大部分光探测器都是直接或间接把 光辐射能量转化为电量，这种探测器称为光电探测器 # 引言 光电探测的物理效应主要分为三类，其中光电效应应 用得最为广泛 光电效应： 入射光的光子与物质中的电子直接作用，改变电子的运动状 态，产生载流子。 光热效应： 光子不是直接与电子起作用，而是能量被固体晶格振动吸收， 引起固体的温度升高，导致固体电学性质的改变。 波相互作用效应： 激光与某些敏感材料相互作用过程中产生的一些参量效应，包 括非线性光学效应和超导量子效应。 # 引言 光电效应： 根据效应发生的部位和性质，分为： 外光电效应： 指发生在物质表面上的光电转化现象，主要包括光阴极直 接向外部发射电子的现象。典型的例子是物质表面的光电 发射。这种效应多发生于金属和金属物。 内光电效应： 指发生在物质内部的光电转化现象，特别是半导体内部载 流子光生效应。主要包括光电导效应、光生伏特效应、光 子牵引效应和光磁电效应等。这种效应多发生于半导体 内。 # 引言 光电效应类探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的 内部电子状态改变，即光子能量的大小直接影响内部电子 状态改变的大小，因而这类探测器受波长限制，存在“红 限” hc 截至波长 λc E E在外光电效应中为表面逸出功，在内光电效应中为半导体禁 带宽度。 光热效应类探测器对光波波长没有选择性，但是由于材 料在红外波段的热效应更强，因而广泛用于对红外辐射， 特别是长波长的红外线的测量，由于温度的升高需要热积 累，所以探测器的速度较慢，而且容易受环境的影响。 # 引言 光电探测器的性能参数 光电探测器的噪声 半导体光电探测器 光电导探测器 光伏探测器 光电池 光电二极管 光电三级管 半导体器件的选择 CCD探测器 光电探测器的性能参数 响应